二基本传感器3.ppt

第六节?光电传感器; 光子效应，是指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的内部电子态的改变。光子能量的大小，直接影响内部电子状态改变的大小。因为，光子能量是hν，h是普朗克常数，ν是光波频率，所以．光子效应就对光波颠率表现出选择性，在光子直接与电子相互作用的储况下，其响应速度一般比较快。 ; 光热效应。探测元件吸收光辐射能量后，是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件温度上升，温度上升的结果又使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。所以，光热效应与单光子能量的大小没有直接关系。原则上，光热效应对光波频率没有选择性。只是在红外波段上，材料吸收率高，光热效应也就更强烈，所以广泛用于对红外辐射的探测。因为温度升高是热积累的作用，所以光热效应的响应速度比较慢，而且容易受环境温度变化助影响。 ;热释电：材料自发的极化电荷量与温度有关。。在居里温度以下，才有热释电现象。当强度变化的光照射热电体时，热电体的温度发生变化，Pj亦发生变化，面电荷从原来的平衡值跟着发生变化。热释电体表面附近的自由电荷对面电荷的中和作用比较缓慢，一般在1一l000秒量级。好的热电体，这个过程很慢。在来不及中和之前，热电体表面就呈现出相应于温度变化的面电荷变化。把热电体放进一个电容器极板之间，把一个电流表与电容两端相接，流过电流表的称为短路热释电流。 ;光子效应和光热效应;光电效应; 从变换器的角度看光电效应应分为三类。 外光电效应 是指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。光电管与光电倍增管均属于这一类。它们的光电发射极——光阴极就是用这种特性的材料制成的。 内光电效应 是指在光的照射下，材料的电阻率发生改变的现象。由于这里没有电子自物质向外发射，仅改变物质内部电阻，称之为内光电效应。; 除金属外，大多数绝缘体和半导体都在这种现象，其中以半导体较显著，一般用半导体材料制成光 电导管或光电导器件，这类器件又称为光敏电阻。 有PN结、PIN结、肖特基结以及异质结…阻挡层（势垒）的光电器件 半导体PN结或有阻挡层的器件受光照时，吸收光子的能量产生载流子，使PN结（阻挡层）产生电动势，或使PN结的光电流增加，称这种现象为PN结的光电效应。利用光电效应制成的光电器件有光伏电池、光敏二极管和光敏三极管。 ;光电管的示意及其连接 ;光电管与光电倍增管 ; 阴极受到光线照射时，产生光电效应而发射电子，电子在电场的作用下被阳极收集形成光电流i。 当光线强度改变时，光电流i及负载电阻Rb上的电压随之发生变化，光信号就转变为对应的电信号了。 除真空光电管外，有充气光电管，后者玻璃泡内充有惰性气体如氩、氖等。当电子流向阳极的过程中，运动着的电子轰击惰性气体，使其电离，产生更多的电子，提高光电变换灵敏度。通常充气光电管的灵敏度比真空光电管高5—10倍，但是充气光电管的非线性也增加很多。一般精密测量不用充气光电管。 ;光电管特性;光电管特性 （a）光电特性 （b）光谱特性 ; 锑铯阴极光电管的最大灵敏度在紫蓝光谱范围（图b中曲线2）；含有多种成分（如锑、钾、钠和铯等）的光阴极，在较宽的可见光谱范围内有较高的灵敏度（图b中曲线3）。 从图b可看出,不同的光阴极,对应于最大灵敏度波长不同。选择光电器件时,应使其最大灵敏度在需要测定的光谱范围内。 频率特性：灵敏度与光强频率的关系。真空光电管工作在频率1兆赫以上仍能保持很高的灵敏度。而充气光电管的放电需要一定时间,故工作频率只能低于1千赫。 ;光电倍增管的结构与原理;光电倍增管构造原理 ;光电倍增管的主要参数:;光电特性， 在光通量不很大的范围内,光电特性的线性很好,光电灵敏度高达每毫流明几毫安。因此光通量稍大一点就会出现饱和现象,而且会使电极迅速进入疲劳状态或损坏。必须注意,在工作时不能有强光照射倍增管的阴极。 工作范围， 10-5～10-16lm。10-9lm以下微弱光，可见一个一个的光电子脉冲序列。 ;光敏电阻 ;光敏电阻 （a）光敏电阻的结构 （b）光敏电阻的符号和连接 ;光敏电阻的特性; 光谱特性：光敏电阻的光谱特性与所用的材料有关。例如硫化镉的光谱响应峰值落在可见光区,硫化铝的光谱响应峰值落在近红外区。 有下列优点: 体积小,重量轻,结构简单牢固,允许光电流大,工作寿命长。 其缺点是: 型号相同的光敏电阻的参数也参差不齐, 光照特性非线性,工作频率不高。 有些光敏电阻对红外敏感, 是红外探测中很重要的一类光电器件。 ;结型光电器件;; 结型光电器件伏安特性曲线族 ;结型光电器件工作于伏安特性曲线的第四象限时,