低频脉冲电流退火对CoFeSiB非晶薄带巨磁阻抗效应的影响.pdfVIP

第36卷 第8期 稀有金属材料与工程 、，01．36．No．8 RAREMETALMATERIAI，SANDENGINEERING 2007 2007年 8月 August 低频脉冲电流退火对CoFeSiB非晶薄带 巨磁阻抗效应的影响 鲍丙豪，蒋峰，孙超 (江苏大学，江苏镇江212013) 摘 要：研究了经不同低频脉冲电流密度退火的c0663Fe37sil2818非晶薄带的巨磁阻抗(GMI)效应。结果表明，在低 频脉冲电流下，巨磁阻抗效应的大小与退火电流密度密切相关。非晶带的GMI变化率△z／z先随退火电流密度的增加 电流退火影响巨磁阻抗效应的机制作了定性分析。并分析了由脉冲电流退火在材料内感生的横向各向异性场凰(对GMI 效应的影响，发现凰有利于提高GMI效应的峰值，但同时存在一个临界值，当超过这个值时，GMI效应的峰值减弱。 关键词：巨磁阻抗效应；低频脉冲电流退火；横向各向异性场；coFesiB非晶态合金带 139+．8 文献标识码：A 中图法分类号：TG 文章编号：1002—185x(2007)08．1346—04 在对GMI效应的研究过程中，很多研究人员都 1 引 言 关注到通过各种退火方法感生的各向异性场对GMI 1992年，日本科学家Mohri等人发现，当对效应的影响，发现感生各向异性场对阻抗与外场的关 CoFeSiB非晶丝通入一交变电流时，非晶丝的电感随系曲线形状有极大的影响，实验结果[10，11】和理论分 外加直流磁场的变化而变化，即巨磁电感效应[1]。该 析‘11，121都证实，材料具有横向各向异性场有利于获得 发现立刻受到了人们的高度重视。不久，人们又发现， 显著的GMI效应。 在高频电流下，非晶丝的电阻和电抗都随直流磁场而 本实验对在不同外加磁场及不同交变激励电流 显著变化，这一效应后来被认识到是由磁场导致阻抗 下，不同电流密度退火样品的交流阻抗进行测量，并 探讨由脉冲电流退火感生的横向各向异性场对GMI 变化引起，因此被称作巨磁阻抗(giantmagneto— impedance，简称GMI)效应[23]。巨磁阻抗效应产生的效应的影响，从而为制备具有显著GMI效应的材料做 主要原因是高频电流的趋肤效应。外加磁场通过影响 一些准备工作。 材料的有效磁导率，进而影响了趋肤深度。由于趋肤 2 实验方法 深度的大小表征的是交流电流流过导体表面厚度的大 小，这样磁场就改变了材料的阻抗。本文作者对其理 实验使用的C066．3Fe3 论作了较为深入的研究，由建立多畴结构模型，得到 液相急冷法制成，尺寸为10mm(长)×0．33mm(宽) 了非晶带及膜的阻抗变化率△Z／Z与外磁场及有效磁 ×32 导率的关系[4】。这种理论能很好地解释巨磁阻抗效应。 有高的磁导率和低饱和的磁致伸缩系数，因此磁各向 最初的研究主要集中在具有零或负磁致伸缩系数的钻 异性是影响磁阻抗效应的一个主要因素。与以往的等 基非晶丝上。近年来已经扩大到非晶和纳米晶软磁合 温退火和焦耳电流热处理等退火方法不一样的是，本 金薄带[51、薄膜【6]及多层复合材料。由于该效应具有体实验采用低频脉冲电流对非晶带进行退火处理，它具 积小、灵敏度高、响应速度快和能耗小等优点，在新 有退火时间短、对环境要求低、并易于控制等优