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利用椭偏仪研究氢气退火处理对ZnO-Ga薄膜光学性能的影响.pdf
第35卷第1期 红外与毫米，波学报 V01．35，No．1
2016年2月 Millim．Waves February，2016
J．Infrared
文章编号：1001—9014(2016)01—0006—05
Optical of ZnO-Gathinfilmsstudied
propertieshydrogenated
’ · ‘
●●● o
e儿lpS0metrV
Dyspectroscopic
YANG Mei—Zhen+
Jiao，GAO
Lab
for and Materialsof of of Scienceand
(Key MagnetismMagnetic MinistryEducation，SchoolPhysical Technology，
Lanzhou
University，Lanzhou730000，China)
effectsofGa on of
Abstract：111e structural，electrical，and ZnO-Ga
dalping opticalpropeaieshydrogenated
films havebeen the diffraction
(GZO)thin X—ray observations，
depositedbysol-geltechnique investigated．From
thefilms withdifferent concentrationswerefoundtobe wurtzite．structuredZn0．nleelectrical
doped gallium pure
ofthe filmswere anda lowest of3．410X10。n·cmwasob．
propertieshydrogen-annealedimproved resistivity
tained．nerefractiveindexandextinctioncoefficientofZnO—Gathinfilmsweredeterminedinthe of270—
range
1600mll carried a
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