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第四章 光电检测 光电检测器的物理效应 光电探测器的性能参数 光敏电阻 光电池 光电二极管 雪崩光电二极管 光电倍增管 光接收机 光电探测器 凡是光辐射量转换为电量（电压或电流）的光探测器，都称为光电探测器。 光电探测器的物理效应包括： 1、光子效应 2、光热效应 光子效应 单个的光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。 1、光子效应对光波频率表现出选择性。 2、响应速度比较快。 光热效应 探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件温度升高，温度上升的结果由使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。 1、光热效应对光波频率没有选择性。 2、响应速度比较慢。 外光电效应－光电发射效应 在光照射下,电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应,亦称光电发射效应。它是在1887年由德国科学家赫兹发现的。基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍培管等。 众所周知,每个光子具有的能量为 逸出功A也称功函数,是一个电子从金属或半导体表面逸出时克服表面势垒所需作的功,其值与材料有关,还和材料的表面状态有关。若逸出电子的动能为 ,则由能量守恒定律有