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一般，长声学波散射前后电子的能量基本不变，为弹性散射。光学波散射前后电子的能量变化较大，为非弹性散射。 （A）声学波散射： 在长声学波中，纵波对散射起主要作用（通过体变产生附加势场）。 对于单一极值，球形等能面的半导体，理论推导得到 其中u纵弹性波波速。 由上式可知 此式对于其它能带结构的半导体也适用 （B）光学波散射： 正负离子的振动位移会产生附加势场，因此化合物半导体中光学波散射较强。例如：GaAs 对于元素半导体，只是在高温条件下才考虑光学波散射的作用。例如：Ge、Si 离子晶体中光学波对载流子的散射几率 用N(t)表示t时刻未遭到散射的电子数，则在 被散射的电子数 上式的解为 其中N0为t=0时刻未遭散射的电子数 在 被散射的电子数 平均自由时间 t=0时刻电子遭到散射，经过t时间后再次被散射前 将所有的自由加速过程取平均，可以认为 根据迁移率的定义 3、多能谷半导体的电流密度及电导有效质量 * * 第四章 半导体的导电性 Electrical conduction of Semiconductors 重点： 1、迁移率( Mobility ) 2、散射机制(Scattering mechanisms) 3、迁移率、电阻率与温度的关系 Evaluation only. Created with A