关于智能建筑中防雷设计的讨论论文.docVIP

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  关于智能建筑中防雷设计的讨论论文 摘要:本文扼要说明了传统防雷局限性以及智能建筑对防雷的要求,根据IEC的标准,论述在智能建筑中应采取相应的防雷措施,防止雷电的侵害。 关键词:智能建筑 直击雷 感应雷击 避雷针 防雷保护区 一、前言 在智能建筑中,系统内的电子设备的数量和规模不断扩大,大量采用计算机技术,而电子计算机、微处理器以及其他电子仪器设备普遍存在着绝缘强度低,过电压耐受能力差的弱点.freel范围内都可能产生危险过电压,损坏电路上的设备。据统计:在整个瞬变脉冲事故中雷击产生过电压约占20℅左右。感应雷击其主要危害有: (1) 在雷云出现后,雷云下的建筑物由于静电感应作用而带上大量相反电荷,雷击过后,雷云所带的电荷与地很快中和,而地上某些局部上的感应电荷,由于与大地间电阻较大,而且不能在同样短的时间内相互消失,形成了局部地区高的感应电压,该电压达数十千伏至数百千伏,这样高的的电压可使接地不良的电气系统遭受破坏。根据《建筑物防雷设计规范 GB50057-94》中的公式,防雷装置地上高度hx处的电位: 式中 UR雷电流流过防雷装置时接地装置上的电阻电压降(kV); UL雷电流流过防雷装置时引下线的电感电压降(kV); I 雷电流幅值;二类防雷建筑取100kA; RI冲击接地电阻,对于采用共用接地极的建筑,一般取其等于1(Ω); L0 引下线的单位长度电感,取其等于1.5μ H /m; di/dt 雷电流徒度(kA/μs)。 对于一个30m高的二类建筑,经计算: 由此可见,仅接地装置上的电位升高100 kV,30m高度的电位就达775 kV,也正是由于高电位引入、反击、感应、耦合等二次效应,对电气设备及人员危害极大。 (2) 雷电产生电磁感应的破坏。由于雷电有极大的峰值和徒度,在其周围形成强大的变化的电磁场,处在变化电磁场中的导体会感应出较大的电压,该电压由导线可传至较远电气设备。根据美国A/D报告研究表明:当电磁感应强度B为0.03GS时,计算机会产生误动作,当B为2.4GS时,计算机芯片会产生永久性损坏。 式中 B电磁感应强度(GS); I 雷电流幅值 (kA); r 雷击半径 (m); P 发生雷击电流I值的概率。 故可以算出:电子设备误动作概率为: P=93.6℅, 电子设备产生永久性损坏概率为: P=60℅。 (4) 雷电产生地电位反击的破坏。智能建筑内计算机及微电子设备均要求有“干净”的地,如果在建筑不同接地系统被泄入雷电流时,引起电位不均,高电位的地会反击地电位的地,导致电气设备损坏。 三、防雷保护区域的划分 针对信息系统的防雷特殊性,作为防雷标准IEC-1024-1标准的补充,1995年IEC出版了1312-1标准。对防雷保护区域进行了划分,一个欲保护的区域,从电磁兼容(EMC)的观点来看,由外到内可分为几级保护区,(图1 所示)最外层是LPZ0区—雷闪电磁场原区。在该区域内雷闪电磁场未产生衰减。雷闪电磁场按大气状态下自然分布。在该区域又分为LPZOA和LPZOB两个区域。 图1 建筑物防雷区域(LPZ)的划分 LPZOA区是直接雷击区域,在该区域内各物体都可能受到直接雷击,产生全雷电流,雷闪电磁场未产生衰减,从防雷保护角度看,该区域属于保护以外区域。 LPZOB区是不受直接雷击区域,在该区域内各物体不可能受到直接雷击,但雷闪电磁场未产生衰减,该区域受防雷装置保护。 LPZ1区是不受直接雷击区域,在该区域内各物体不可能受到直接雷击,在该区域内,所有导体上的雷电流比LPZOB区减少,其减少程度取决于屏蔽措施和等电位联结做法。 如果需要进一步减少雷电流和雷闪电磁场,应按需要保护系统的要求,选择后续防雷区域(LPZ2、3、4……)。 四、智能建筑中的防雷措施 防雷工程通常分为直击雷和感应雷两部分。直击雷防御系统是捕捉雷电闪击保护建筑物及设备。感应雷防御系统是为了降低雷击时的冲击电位差和电磁脉冲。传统的防雷技术一般是在建筑物屋面装设接闪器,由接闪器和引下线将雷电流导入接地极,流向大地,并在电网中加装避雷器等防雷措施,采用这些措施,虽然可以有效防止直击雷和消弱电压波的强度,减少雷击的破坏程度,但这些措施并不能完全消除电网中的又雷击引起的暂态过电压,感应雷电脉冲一般都在千伏以上,普通的电气设备一般可允许闪电脉冲电压6000V,但对于计算机设备,其信号电压很低,一般只有100V左右,最小仅有10V左右,当其闪电脉冲电压为在几十伏或到几百伏就会见计算机损坏。IEC标准根据雷电日雷电日将地区雷电级别分为3级。 (1) Q1级:此级别雷电日不超过25天,可不设置雷电过电压保护。 (2) AQ2级:此级别雷电日超过25天,应考虑是否设置架空线路引入的感应雷电过电压保护。 (3) AQ3级:同上,但还应考虑架空线

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