稀土掺杂SiCxNy薄膜制备及其性质研究.pdf

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稀土掺杂SiCxNy薄膜制备及其性质研究论文

鼍州大学M}一学位论爻 摘 要 SiCN是一种新颖的硅基光电材料,而稀土掺杂是一种进一步优化SiCN光学性 能的有益尝试,我们制备并研究了稀土掺杂与未掺杂SiCN薄膜。 (1)SiCxNy薄膜的制备和性质研究 利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCxN。薄膜,并利用X.射线衍射(XRD)、 红外吸收谱(FTIR)和X.射线光电子谱(xPS)对薄膜的结构、成份及化学键合状 态进行了分析。结果表明,室温制备的SiCN薄膜为非晶状态,并形成了Si.C、Si-N 和C-N键;通过改变N2/Ar比,衬底沉积温度,溅射功率等参数可以改变薄膜中的 Si’C,N三元素的比例。进而改变薄膜的光学等性质。而在高温下(衬底温度为8000C), 薄膜中含有SiC,,N。的晶体成分,薄膜表面变得粗糙,SiCxNy薄膜具有较好的光致发 光性能。 (2)SiCN薄膜基电致发光器件的制备和性质研究 电极形成三明治结构,研究了各种N2分压下器件的电学和发光性质研究表明随着N2 分量的增加,器件由双向导电变为单向导电进而最后变为绝缘态,而EL现象由双向 导通发光变为单向导通发光,最后变为不发光,建立模型解释了这种现象。发现SiCxNy 由于其复杂的网络结构,具有很宽的发光包,发光光谱涵盖400--700nm范围。 .(3)稀土掺杂SiCN薄膜的制备和后处理及发光性质研究 分别在N2和NH3气氛下共溅射法制备了样品,发现稀土Tb掺杂样品具有很好 的绿光效应。研究了不同温度和气氛环境下退火处理的样品,发现800。C下NH3处 理的样品具有最强的肉眼可见的强绿光发射,空气中7000C以下退火的样品呈现强蓝 机制和发光的能量传递机理。 关键词:SiCxNy溅射光致发光退火电致发光 兰州一:学.|lf}_{:’’厶伊论文 ABSTRACT SiCNisanovelsiliconbased earth and material,Rare photoelectric dopedundoped SiCNfilmswere and preparedinvestigated. were on rf films Sisubstrates the structures, (1)SiCxNy prepared by sputtering,and were chemicalbonds XPS.Theresults compositions,and investigatedbyXRD,FTIR,and havedemonstratedthatthe SiCNfilmswere room-temperaturedeposited amorphous, anetworkof C-Nbonds.Theratioofconstituentsofthethree containing Si-C,Si-N,and thefilmscanbetunedthe ratios N、)in ofN2f心,the elements(Si,C,and by partialpressure

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