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概述烧结机理晶粒生长与二次再结晶影响烧结的因素 第一节 概述 1）常规烧结（是否出现液相） 二、与烧结有关的概念 当密度达到理论密度的90～95％后，其增加速度显著减小，且常规条件下很难达到完全致密。说明坯体中的空隙(气孔)完全排除是很难的。 烧结初期：坯体中颗粒重排，接触处产生键合，空隙变形、缩小（即大气孔消失），固-气总表面积没有变化。 烧结中期：传质开始，粒界增大，空隙进一步变形、缩小，但仍然连通，形如隧道。 烧结后期：传质继续进行，粒子长大，气孔变成孤立闭气孔，密度达到95%以上，制品强度提高。 图 被水膜包裹的两固体球的粘附 各种传质过程可单独进行或几种传质同时进行。 二、晶粒生长 小晶粒生长为大晶粒．面积↓，界面自由能↓。 如：晶粒尺寸由1μm→1cm 相应的能量变化约为0.42～21J/g 1）晶界能量较小，晶界移动被杂质或气孔所阻挡，Vb＝0，晶粒正常长大停止。（烧结初期） 2）晶界具有一定的能量，晶界带动杂质或气孔继续移动，Vb＝VP 。气孔利用晶界的快速通道排除，坯体不断致密。 3）晶界能量大，晶界越过杂质或气孔，把气孔包裹在晶粒内部，Vb VP 。气孔被包入晶体内不，再不能利用晶界这样的快速通道而排除，只能通过体积扩散来排除，是十分困难的，坯体很难致密化。 三、二次再结晶 一