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半导体制造工艺流程 半导体相关知识 • 本征材料：纯硅 9-10个9 250000 Ω.cm • N型硅： 掺入V族元素--磷P 、砷As 、锑 Sb • P型硅： 掺入 III族元素—镓Ga、硼B • PN结： - - + + P - - + N - - + + 半 导体元件制造过程可分为 • 前段（Front End）制程 晶圆处理制程（Wafer Fabrication；简称 Wafer Fab）、 晶圆针测制程（Wafer Probe）； • 後段（Back End） 构装（Packaging）、 测试制程（Initial Test and Final Test） 一、晶圆处理制程 • 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与 电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上 述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过 程 ，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需 处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂 贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温 度、湿度与 含尘（Particle）均需控制的无尘室 （Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产 品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤 通常是晶圆先经过适 当的清洗（Cleaning）之後， 接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微 影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电 路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 • 经过Wafer Fab之制程後，晶圆上即形成 一格格的小格 ，我们称之为晶方或是晶粒 （Die），在一般情形下，同一片晶圆上 皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一 片晶圆 上制作不同规格的产品；这些晶圆 必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经 过针测（Probe）仪器以测试其电气特 性， 而不合格的的晶粒将会被标上记号 （Ink Dot），此程序即 称之为晶圆针测 制程（Wafer Probe）。然後晶圆将依晶 粒 为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 • IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠 或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路 • 目的：是為了製造出所生產的電路的保 護層，避免電路受到機械性刮傷或是高 溫破壞。 半导体制造工艺分类 MOS型 双极型 PMOS型 NMOS型 CMOS型 饱和型 非饱和型 BiMOS TTL I2L ECL/CML 半导体制造工艺分类 • 一 双极型IC 的基本制造工艺： • A 在元器件间要做电隔离区（PN结隔 离、全介质隔离及PN结介质混合隔离） ECL （不掺金） （非饱和型） 、 TTL/DTL （饱和型） 、STTL （饱和 型） B 在元器件间自然隔离 I2L （饱和型） 半导体制造工艺分类 • 二 MOSIC 的基本制造工艺： 根据栅工艺分类 • A 铝栅工艺 • B 硅 栅工艺 • 其他分类 1 、（根据沟道）PMOS 、NMOS 、CMOS 2 、（根据负载元件）E/R 、E/E 、E/D 半导体制造工艺分类 • 三