【2017年整理】半导体器件物理ppt.pptVIP

本章内容 MOS二极管 MOSFET基本原理 MOSFET按比例缩小 CMOS与双极型CMOS 绝缘层上MOSFET MOS存储器结构 功率MOSFET 电荷耦合器件的结构如图所示，其器件是由覆盖于半导体衬底上的连续绝缘层(氧化层)上的紧密排列的MOS二极管阵列所组成．CCD可以实现包含影像感测以及信号处理等广泛的电子功能．CCD的工作原理牵涉到电荷储存以及由栅极电压控制的输运行为．图中显示对CCD施加一足够大的正偏压脉冲于所有的电极之上，以使其表面发生耗尽． 电荷耦合器件 (CCD) 一较高的偏压施加于中央的电极上，使中央的MOS结构有较深的耗尽区，并形成一电势阱．亦即由于中央电极下方较深的耗尽层而产生一个中央呈深阶状的电势分布．此时所感应生成的少数载流子(电子)，则会被收集至这个电势阱中。 MOS二极管 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 假使右侧电极上的电压增加到超过中央电极的电压时，我们可以得到如图(b)所示的电势分布。在此情况之下，少数载流子将由中央电极转移至右侧电极。随后，电极的电势可重新调整，使得静止的储存状态位于右侧的电极．由这一连