茂捷M573副边反馈外置MOS兼容绿达GR8837.doc

描述 M5573是一款优化的高性能高集成的用于反激式变换器的电流模式PWM控制芯片，具备低待机功耗和低成本的优点。正常工作下，PWM开关频率通过外部电阻可调。在空载或轻载条件下，IC就会工作在“跳周期模式”来减少开关损耗，从而实现低待机功耗和高转换效率的实现。M5573提供全面的保护，包括自动恢复保护，逐周期电流限制（OCP），过载保护（OLP）、带迟滞功能的VDD欠压保护，和过电压（固定或可调的）保护（OVP）。M5573频率抖动能实现优良的EMI性能。M5573在工作中消除了低于20kHz音频噪声的消除。M5573采用SOT-23-6封装。典型应用图典型应用图典型应用图特征软启动功能，减少应力功率MOSFETVDS降低EMI频率抖动功能跳周期模式控制的改进，提高效率降低待机功耗最小功率的备用电源设计消除音频噪声开关频率通过外部电阻可调综合保护性能 1.带迟滞功能的VDD欠压保护 2.逐周的过流阈值设置，在全电压范围内恒定输出功率 3.过载保护（OLP）与自动恢复 4.自动恢复的VDD过压保护（OVP）应用领域适用于AC/DC反激式变换器手机充电器,上网本充电器笔记本适配器机顶盒电源各种开放式开关电源引脚功能描述管脚I/O描述GDP地COMPI反馈输入引脚。PWM的占空比决定于COMP引脚电压和SE引脚电流检测信号RI开关频率设置引脚。SEI电流检测输入VDDP电源DRVO输出DRV驱动功率MOSFET。绝对值范围项目值单位最小值最大值VDD直流供电电压30VVDD齐纳嵌位电压10 V VDD直流嵌位电流VDD_Clamp+0.1mACOMP输入电压-0.37VSE输入电压-0.37VR输入电压-0.37V最小/最大工作结温-20150℃最小/最大贮存温度-55165℃最高温度（焊接，10秒）260℃芯片框图应用信息M5573是一款优化的高性能高集成的用于反激式变换器的电流模式PWM控制芯片，具备低待机功耗和低成本的优点，扩展模式大大降低了待机功耗，方案设计适应国际节能的要求。启动电流和启动控制M5573启动电流非常低，便于获取高于VDD的UVLO值并迅速启动。因此，高阻值启动电阻可减少功率损耗，并能在应用中稳定可靠的启动。工作电流M5573工作电流低至1.4mA。跳周期模式与工作电流一起扩展能实现较高效率。软启动M5573在通电时触发一个4ms的软启动来降低启动时的应力。当VDD达到VDD_O，SE尖峰电压由0.15V逐渐升高增至最大。每次重启后都会重新软启动。频率抖动干扰的改进M5573集成了频率抖动（开关频率调制）功能进行扩频，最大限度地降低了EMI带宽，简化了系统设计。跳周期模式操作在轻载或空载状态，开关电源的功耗来源于开关MOSFET的损耗、变压器磁心损耗和启动电路损耗，功率损耗的大小在于开关频率的比例。较低的开关频率，能降低功率损耗，从而节约了能源。开关频率在空载或轻载条件下自行调节，降低开关频率在轻载、空载的情况下可以提高转换效率。只有当VDD电压下降到低于预先设定的值且COMP电压处在适当状态的时候，DRV驱动才处于打开状态，否则，DRV驱动将处于关闭状态来最大程度的降低开关损耗和待机损耗。开关频率的控制消除了在任何负载条件下的噪声。振荡器通过PI3脚外接电阻设置内部振荡工作频率。电流检测和前沿消隐M5573是curret模式PWM控制，提供逐周期电流限制。开关电流是通过一个电阻接到SE引脚来检测。内部的前沿消隐电路会屏蔽掉电压尖峰内部功率MOSFET的初始状态，由于缓冲二极管反向恢复电流和DRV功率MOSFET浪涌电流造成的检测电压尖峰，导致电流限制比较器被屏蔽，无法关断功率MOSFET。PWM的占空比是由SE电流检测输入电压和COMP输入电压计算确定的。内部同步斜坡补偿内部斜坡补偿电路是将一个斜坡电压加入SE引脚输入电压来帮忙生成PWM信号，它大大提高了在CCM下的闭环稳定性，防止次谐波振荡，从而降低输出纹波电压。驱动功率MOSFET是由专用DRV驱动功率开关驱动控制。DRV驱动强度越弱，功率管的导通损耗和MOSFET开关损耗就越大；而DRV驱动越强，直接影响EMI性能。一个很好的权衡方法为通过内置的图腾柱栅驱动设计，适当的驱动能力和DRV设计合适的死区时间来实现控制。通过这种设计很容易达到良好的电磁系统的设计和降低空载损耗的目的。保护控制好的电源系统的可靠性需要有自动恢复特性的保护功能，包括逐周期电流限制（OCP），过载保护（OLP）和VDD的欠压保护）；无锁存关闭功能还包括过温保护（OTP），固定或可调的VDD电压保护（OVP）。在全电范围内，OCP被补偿后达到恒定输出功率。在过载条件下，当COMP输入电压超过TD_PL功率极限阈值时，控制电路会关闭转换器。只有在输入电压低于阈