固体电子学(第12章)光电效应.pptVIP

MOS电容器 （a） MOS电容截面； （b） 势阱图 电荷耦合器件（Charge Couple Device, CCD） 其基本单元是MOS（金属-氧化物-半导体）电容器。它以P型（或N型）半导体为衬底，上面覆盖一层厚度约120 nm的SiO2，再在SiO2表面依次沉积一层金属电极而构成MOS电容转移器件。这样一个MOS结构称为一个光敏元或一个像素。将MOS阵列加上输入、 输出结构就构成了CCD器件。 CCD最基本的结构是一系列彼此非常靠近的MOS电容器， 这些电容器用同一半导体衬底制成，衬底上面涂覆一层氧化层， 并在其上制作许多互相绝缘的金属电极，相邻电极之间仅隔极小的距离，保证相邻势阱耦合及电荷转移。对于可移动的电荷信号都将力图向表面势大的位置移动。为保证信号电荷按确定方向和路线转移，在各电极上所加的电压严格满足相位要求。 工作原理 CCD的信号是电荷，那么信号电荷是怎样产生的呢？CCD的信号电荷产生有两种方式： 光信号注入和电信号注入。CCD用作固态图像传感器时， 接收的是光信号， 即光信号注入。当CCD器件受光照射时，在栅极附近的半导体内产生电子-空穴对，其多数载流子（空穴）被排斥进入衬底，而少数载流子（电子）则被收集在势阱中， 形成信号电荷， 并存储起来。 存储电荷的多少正比于照射的光强，从而可以反映图像的明暗程度， 实现光信号与电信号之间的转换。