热载流子应力感应n-MOSFETsGIDL特性退化机理.pdfVIP

　第 20 卷第 12 期 半　导　体　学　报 . 20, . 12 V o l N o 　1999 年 12 月 . , 1999 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S D ec 热载流子应力感应 - n MO SFETs G IDL 特性退化的机理 徐静平 黎沛涛 　 (华中理工大学电子科学与技术系　武汉　430074) (香港大学电机电子工程系 香港薄扶林道) 摘要　对不同栅氧化物 的 ( ) 特性在不同热载流 n M O SFET s G IDL Gate Induced D rain L eakage 子应力下的退化行为进行了研究. 发现 G IDL 的漂移对栅电压十分敏感, 在 V G = 0 5V D 的应力 条件下呈现最大. 通过对漏极附近二维电场及载流子分布的模拟, 引入“亚界面陷阱”概念, 对所 涉及的机理提出了新见解, 认为: 在应力期间, 亚界面和体氧化物空穴陷阱的解陷分别相应于 V = 0 5V 和 V = V 两种典型应力下 G IDL 的漂移. 实验还观察到N O 氮化, 特别是N O 退 G D G D 2 2 火 氮化的 比常规热氧化 有小得多的 漂移, 表明这种氮化 N H 3 n M O SFET s n M O SFET s G IDL 氧化物能大大抑制亚界面和体空穴陷阱. : 2560 , 0170 EEACC R N 1　引言 栅极感应漏极漏(G IDL ) 电流是M O SFET s 主要的断态漏电机理[ 1, 2 ] , 严重影响着器件 的可靠性. 特别是随着器件尺寸的不断减小, 器件内部横向电场不断增强, 热载流子效应引 起断态漏电增加的机率随之变大. 张炯等对 反向断态电流的研究发现, 应力 n M O SFET s [ 3 ] 后的断态电流变大 . 本文在对 电流的研究中也观察到同样现象, 而且 n M O SFET s G IDL ( ) 进一步发现 G IDL 电流增加与应力时栅电压的大小 漏电压固定 密切相关, 其中在最大衬 底电流应力条件下(V G = 0 5V D ) 漂移最大. 这一发现有助于全面了解 G IDL 的性质及其与 氧化物陷阱的关系, 也可为M O SFET s 最佳工作条件的选择提供参考. 一般认为, 在低场区, 引起 G IDL 电流的一个主要机制是电子从价带隧道