半导体照明精要.pptx

半导体照明 LED Lighting;2;人类照明技术革命;发光二极管（Light Emitting Diode, LED）是一种半导体元件。早期多作为指示灯等，随着白光发光二极管的出现，才被用于照明，是一种新型光源。加正电压可以发出单色不连续的光，改变半导体材料的化学组分，可以发出从近紫外、可见光到红外线的光。;5;第一个阶段是从20世纪60年代LED实现商品化到80年代初的时间，这段时间奠定了普通亮度LED的技术与市场基础，使得LED在状态指示领域得到广泛应用。 这一阶段的特点是： 使用间接带隙的半导体材料GaAsP、GaP等； 材料生长采用氯化物气相外延法（HVPE）和液相外延（LPE）； 在GaAsP、GaP材料中加入N、Zn、O等杂质元素，在GaAsP、GaP中形成等电子陷阱，发光效率比最初的间接带隙材料带间跃迁提高很多，流明效率达到1lm/W左右，与Edison发明的白炽灯量子效率接近； 通过调整GaAsP中As和P的组分，实现了较短波长的LED光发射，商品化的LED波长范围从单一的红色，扩展到红、橙、黄几种颜色； 改变GaP材料掺杂元素，实现了GaP系材料的红光LED（GaP:Zn,O）、黄绿光LED（GaP:N）商品化。;第二个阶段从上世纪80年代初到90年代初，这个阶段红色和红外高亮度LED研制取得突破，流明效率又提高了一个数量级，接近10lm/W，在户外显示屏等领域开始应用，但是因为GaAlAs三元系材料光衰比较严重，在户外大屏幕和交通信号等方面的应用受到限制。这个阶段主要特点是： 是用了直接带隙的GaAlAs三元系材料； 液相外延（LPE）技术更加成熟，材料生长质量提高，价格下降，促进了LED的大规模使用； 发光机理由杂质发光变为带间竖直跃迁，跃迁几率大大增加，电光转换的内量子效率和流明效率都有了大幅度提高； 发光层结构由同质结发展到异质结、双异质结。;第三个阶段主要是上世纪最后十年，1991年日本东芝公司和美国HP公司分别研制成GaAlInP红、橙超高亮度LED，1992年两家公司又分别研制出GaAlInP黄色（590nm）及黄绿色LED（573nm）。1993年日本Nichia公司的Nakamura S成功开发出蓝光（450nm）LED，很快又推出了商品化的绿光（505nm）LED，实现了多彩化、超高亮度化。这一阶段的主要特点是： 直接带隙材料GaAlInP、InGaN材料系的大量使用，实现了LED的全彩化和超高亮度化； MOCVD和MBE技术引入LED的研究和生产； 新的发光层结构和器件结构层出不穷，如单量子阱、多量子阱、布拉格反射层、透明衬底、透明电极、表面纹理、梯形切割等； 扩大了LED的应用范围，LED由状态指示和室内屏幕显示，扩大到户外全彩显示，在交通信号灯方面的应用得到普及，LED已经在装饰照明、景观照明、汽车照明、仪器仪表照明等开始应用，并逐渐向普通照明领域发展。;目前，正在经历LED技术发展的第四个阶段，这一阶段开始于上世纪末，发展的目标是研究高效率、全固态、环保的LED光源，推进LED在照明领域的应用。同传统的LED相比，大功率LED对发光效率、输出光通量等提出了更高的要求，二者的差别已经超过了量变的范畴，产生了质变，因此大功率LED进入普通照明领域过程中，对LED整个产业链都提出了新的技术要求，从外延层的结构设计、材料生长（上游），芯片结构的设计、芯片制作（中游），封装结构设计、封装工艺（下游），直到大功率LED照明灯具的设计（应用）等都出现了许多新的研究课题，吸引了国内外研究机构和产业界的众多科技工作者的研究兴趣。;LED相对传统光源的优势;Earth at Night;半导体照明对环境和能源的意义;LED其他优点;发展半导体照明对我国的重要性;发光二极管（LED）的原理;16;半导体材料和发光波长;早期的AlGaAs红外和红光LED及其应用;早期的GaP红光和绿光LED及其应用;高效的发光半导体材料须具备的条件;现在的高亮度LED;有可能实现蓝光LED的半导体材料;白光发光二极管的三种实现方式;电光源的流明效率;电光转换效率ηp;半导体照明的关键技术;2014年诺贝尔物理学奖;GaN or ZnSe for Blue LED in 1989;蓝光LED之父——中村修二;GaN材料研究的历史;Nakamura 在Nichia的经历;基于GaN材料的蓝光LED;金属有机物化学气相沉积（MOCVD）;MOCVD before 1990s;Two flow MOCVD;MOCVD原理示意图;MOCVD特点;GaN基蓝光LED材料外延流程;异质衬底外延与缓冲层技术;减少位错密度的方法—侧向外延;GaN基材料的晶体结构和极性;压电极化效应;C面InGaN/GaN量子阱中的QCSE;GaN的