可控硅基础知识分析.ppt

条件：控制极开路，阳极加上反向电压时 分析：J2结正偏，但J1、J2结反偏。当J1，J3结的雪崩击穿后，电流迅速增加，如特性OR段所示，弯曲处的电压URRM叫反向转折电压，也叫反向重复峰值电压。 结果：可控硅会发生永久性反向击穿。 * 单向可控硅等效结构 单向可控硅晶体管模型 K G 玻璃钝化 玻璃钝化 单向可控硅平面和纵向结构 栅极悬空时，BG1和BG2截止,没有电流流过负载电阻RL。 栅极输入一个正脉冲电压时,BG2道通，VCE(BG2)下降，VBE(BG1)升高。 正反馈过程使BG1和BG2进入饱和道通状态。 电路很快从截止状态进入道通状态。 由于正反馈的作用栅极没有触发将保持道通状态不变。 可控硅工作原理-导通 可控硅工作原理-截止 阳极和阴极加上反向电压 BG1和BG2截止。 加大负载电阻RL使电路电流减少BG1和BG2的基电流也将减少。 当减少到某一个值时由于电路的正反馈作用，电路翻转为截止状态。 这个电流为维持电流。  关闭电流（IL) 单向可控硅I-V曲线 正向导通电压（VTM) 正向导通电流(IT) 正向漏电流（Idrm) 击穿电压(Vdrm) 反向漏电流（Irm) 击穿电压(Vrm) 维持电流（IH) 闭锁电流（IL） 单向可控硅反向特性 单向可控硅正向特性 条件：控制极开路，阳极加正向电压 分析：J1、J3结正偏，J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，如特性OA段所示，弯曲处的是UDRM叫：正向转折电压，也叫断态重复峰值电压。 结果：正向阻断状态。 单向可控硅负阻特性及导通 条件：J2结的雪崩击穿 分析：J2结的雪崩击穿后J2结发生雪崩倍增效应，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降。 结果：出现所谓负阻特性 正向导通 条件：电流继续增加 分析：J1、J2、J3三个结均处于正偏，它的特性与普通的PN结正向特性相似，结果：可控硅便进入正向导电状态---通态， 单向可控硅触发导通 条件：控制极G上加入正向电压 分析：J3正偏，形成触发电流IGT。内部形成正反馈，加上IGT的作用，图中的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。 结果：可控硅提前导通。 任一条件即可 1、阳极电位低于阴极电位2、阳极电流小于维持电流 从导通到关断 两者缺一不可 1、阳极电位高于阴极电位2、阳极电流大于维持电流 维持导通 两者缺一不可 1、阳极电位高于是阴极电位2、控制极有足够的正向电压和电流 从关断到导通 说明 条件 状态 单向可控硅导通和关断条件 单向可控硅电参数 IT(TSM) 不重复通态浪涌电流 3 IT(RMS) 额定通态峰值电流 1 VGT 控制极触发电压 10 IGT 控制极触发电流 9 VTM 通态平均电压 8 IRRM 反向重复平均电流 7 IDRM 断态重复平均电流 6 VRRM 反向重复峰值电压 5 VDRM 断态重复峰值电压 4 IT(AV) 额定通态平均电流 2 符号 参数 序号 单向可控硅电参数 I(GM) 门极（触发极）峰值电流 11 IL 关闭电流 20 IH 维持电流 19 tgt 控制极触发导通时间 18 dIT/dt 通态电流换向变化率 17 dVD/dt 断态电压换向变化率 16 PG (AV) 门极（触发极）平均功耗 15 P(GM) 门极（触发极）峰值功耗 14 V(RGM) 门极（触发极）反向峰值电压 13 V(GM) 门极（触发极）峰值电压 12 符号 参数 序号 双向可控硅等效结构 双向可控硅触发模式 双向可控硅触发命名 双向可控硅平面和纵向结构 T1 G 铜芯线电流估算 双向可控硅I-V曲线 双向可控硅优缺点 优点： 双向可控硅可以用门极和T1 间的正向或负向电流触发。因而能在四个“象限”触发 缺点： 1. 高IGT - 需要高峰值IG。 2. 由IG 触发到负载电流开始流动，两者之间迟后时间较长 – 要求IG 维持较长时间。 3. 低得多的dIT/dt 承受能力 — 若控制负载具有高dI/dt 值（例如白炽灯的冷灯丝），门极可能发生强烈退化。 4. 高IL 值（1-工况亦如此）—对于很小的负载，若在电源半周起始点导通，可能需要较长时间的 IG，才能让负载电流达到较高的IL。 双向可控硅误导通 （a）电子噪声引发门极信号 在电子噪声充斥的环境中，若干扰电压超过VGT，并有足够的门极电流，就会发生假触发，导致双向可控硅切换。 (b)超过最大切换电压上升率dVCOM/dt 当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零，这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率若超过允许的dVCOM/dt，会迫使双向可控 硅回复导通状态。因为载流子没