34二次离子质谱重点讲义
SIMS ?? 引言 二次离子质谱是利用质谱法分析初级离子入射靶面后,溅射产生的二次离子而获取材料表面信息的一种方法。二次离子质谱可以分析包括氢在内的全部元素,并能给出同位素的信息,分析化合物组分和分子结构。二次离子质谱具有很高的灵敏度,可达到ppm甚至ppb的量级,还可以进行微区成分成像和深度剖面分析 。 SIMS ?? 引言 早在本世纪30年代,Arnot等人就研究了二次离子发射现象。1949年,Herzog和Viekbock首先把二次离子发射与质谱分析结合起来。六十年代,先后发展了离子探针和直接成像质量分析器。七十年代又提出和发展了静态二次离子质谱仪。这些二次离子质谱仪的性能不断改进,使之成为一种重要的、有特色的表面分析手段。 SIMS ??离子溅射与二次离子质谱 二次离子质谱 一定能量的离子打到固体表面会引起表面原子、分子或原子团的二次发射,即离子溅射。溅射的粒子一般以中性为主,其中有一部分带有正、负电荷,这就是二次离子。利用质量分析器接收分析二次离子就得到二次离子质谱。 SIMS ??离子溅射与二次离子质谱 二次离子质谱 SIMS ??离子溅射与二次离子质谱 离子溅射 描述溅射现象的主要参数是溅射阈能和溅射产额。溅射阈能指的是开始出现溅射时,初级离子所需的能量。 溅射产额决定接收到的二次离子的多少,它与入射离子能量、入射角度、原子序
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