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* * * * * 这种结构只对载流子和光子形成纵向约束，为了得到更好的性能需要对它们进行横向约束。根据横向约束方法的不同，这种结构进一步可以分成两种类型。 * * * 长波长光源比短波长光源对温度更敏感 特征温度 GaAlAs/GaAs (短)：T0=100~150 K InGaAsP/InP (长)：T0=40~70 K * * 工作电流过大会发生饱和 * 式中，I0为常数，T为结区的热力学温度，T0为激光器材料的特征温度。 GaAlAs –GaAs 激光器T0=100~150 K InGaAsP-InP 激光器T0=40~70 K 所以长波长InGaAsP-InP激光器输出光功率对温度的变化更加敏感。  外微分量子效率随温度的变化不十分敏感。 图3.12示出脉冲调制的激光器，由于温度升高引起阈值电流增加和外微分量子效率减小，造成的输出光功率特性P - I曲线的变化。 * 温度升高： - 阈值电流呈指数增长 - 输出功率则明显下降，当达到一定温度时LD不激射 LD的温度特性 温控对LD的正常使用至关重要 *  3.1.3 分布反馈激光器 分布反馈(DFB)激光器用靠近有源层沿长度方向制作的周期性结构(波纹状)衍射光栅实现光反馈。这种衍射光栅的折射率周期性变化，使光沿有源层分布式反馈。 分布反馈激光器的要求： （1）谱线宽度更窄 （2）高速率脉冲调制下保持动态单纵模特性 （3）发射光波长更加稳定，并能实现调谐 （4） 阈值电流更低 （5）输出光功率更大 * * 图 3.13 分布反馈(DFB)激光器 (a) 结构； (b) 光反馈 * 如图3.13所示，由有源层发射的光，一部分在光栅波纹峰反射(如光线a)， 另一部分继续向前传播，在邻近的光栅波纹峰反射(如光线b)。 光栅周期 Λ=m (3.10) ne 为材料有效折射率，λB为布喇格波长，m为衍射级数。 在普通光栅的DFB激光器中，发生激光振荡的有两个阈值最低、增益相同的纵模，其波长为 (3.11) * * DFB激光器与F-P激光器相比， 具有以下优点：  ① 单纵模激光器 ② 谱线窄， 波长稳定性好 ③ 动态谱线好 ④ 线性好 * 3.1.4 发光二极管 LD 和LED的区别 LD发射的是受激辐射光 LED发射的是自发辐射光 LED的结构和LD相似，大多是采用双异质结(DH)芯片，把有源层夹在P型和N型限制层中间，不同的是LED不需要光学谐振腔， 没有阈值。发光二极管的类型：正面发光型LED和侧面发光型LED * * * 发光二极管的特点： 输出光功率较小；谱线宽度较宽；调制频率较低；性能稳定，寿命长；输出光功率线性范围宽；制造工艺简单，价格低廉；适用于小容量短距离系统  发光二极管的主要工作特性：  (1) 光谱特性。 发光二极管发射的是自发辐射光， 没有谐振腔对波长的选择，谱线较宽，如图3.15。 * 图 3.15LED光谱特性 * (2) 光束的空间分布。 在垂直于发光平面上， 正面发光型LED辐射图呈朗伯分布， 即P(θ)=P0 cosθ，半功率点辐射角θ≈120°。 侧面发光型LED，θ‖≈120°，θ⊥≈25°~35°。由于θ大，LED与光纤的耦合效率一般小于 10%。 (3) 输出光功率特性。 发光二极管实际输出的光子数远远小于有源区产生的光子数，一般外微分量子效率ηd小于10%。两种类型发光二极管的输出光功率特性示于图3.16。 驱动电流I较小时， P - I曲线的线性较好；I过大时，由于PN结发热产生饱和现象，使P -I 曲线的斜率减小。 * LED的P__I特性曲线 原理：由正向偏置电压产生的注入电流进行自发辐射而发光 * 式中，f 为调制频率，P( f )为对应于调制频率 f 的输出光功率，τe为少数载流子(电子)的寿命。定义 fc 为发光二极管的截止频率，当 f = f c =1/(2πτe)时，|H(fc)|= ， 最高调制频率应低于截止频率。  (4) 频率特性。 发光二极管的频率响应可以表示为 |H(f)|= (3.12) 图3.17示出发光二极管的频率响应， 图中显示出少数载流子的寿命τe和截止频率 fc 的关