射频实验报告3分析.docx

射频电路设计专题实验实验三射频功率分配/合成器设计、仿真与测试班级：信息姓名：学号：一、实验目的了解功率分配器的原理及基本设计方法掌握威尔金森功分器的结构、工作原理及S参量了解利用ADS进行电路优化仿真的基本步骤及方法掌握利用ADS微带线计算工具LinCalc计算、设计微带线了解利用ADS在电路板级进行电路仿真的方法与步骤。二、实验原理将一路微波功率按一定比例分成n路输出的功率元件称为功率分配器。按输出功率比例不同, 可分为等功率分配器和不等功率分配器。技术指标：1.频率范围：分配器的工作频率2.承受功率：分配器/合成器所能承受的最大功率3.功率分配比：主路到支路的功率分配比4.插入损耗：输入输出间由于传输线（如微带线）的介质或导体不理想等因素,考虑输入端的驻波比所带来的损耗5.驻波比：每个端口的电压驻波比6.隔离度：支路端口间的隔离程度2.1集总参数功率分配器1. 电阻式（等功率）△形和Y形电阻式功率分配器用ADS仿真：△形电阻式功率分配器优点：频宽大, 布线面积小, 设计简单缺点：功率衰减较大2. 集总L-C式低通型和高通型功率分配器用ADS仿真：中心频率为2.4GHz的集总参数L-C式低通型功率分配器，传输线特征阻抗为50欧姆用ADS仿真：L-C式低通型功率分配器2.2 威尔金森功分器威尔金森功分器的设计与仿真1）设计指标：频率范围：0.9-1.1GHz频带内输入端口的回波损耗：S11-20dB频带内插入损耗：S21-3.1dB, S31-3.1dB隔离度：S32-25dB2）微带板材参数H:基板厚度(0.8 mm)Er:基板相对介电常数(4.3)Mur:磁导率(1)Cond:金属电导率(5.88E+7)Hu:封装高度(1.0e+33 mm)T:金属层厚度(0.03 mm)TanD:损耗角正切(1e-4)Roungh:表面粗糙度(0 mm)3）设计步骤1.创建新的WorkSpace2.画原理图，选择微带线控件分别放置在绘图区中，并用线连接3.利用微带线计算工具计算微带线尺寸参数4.设置优化变量5.原理图仿真：分别查看S11、S21、S22、S236.参数优化7.设置优化方式和优化目标8.优化仿真[Simulate][Optimize]9.功分器的版图生成10.功分器的版图仿真原理图原理图仿真优化仿真功能器版图功能器版图仿真三．功分器的测量测功分器在800MHz-2200MHz的回损、插损和隔离度设置激励参数进行测量校准进行测量实验数据频率0.80.911.11.21.31.4回损-20.91-25.463-26.655-23.932-21.979-21.29-21.325驻波1.1961.1131.0981.1361.1731.1891.188支路1插损-3.056-3.309-3.042-2.982-2.957-2.92-2.941支路1相移-148.6-167.68172.935153.876134.398115.38795.183支路2插损-3.074-3.06-3.066-3.003-2.977-2.937-2.96支路2相移-148.02-167.072137.692154.767135.36116.35396.126隔离度s12-24.17-30.217-33.856-23.873-24.53-22.413-21.72隔离度s21-23.72-29.935-33.8-27.825-24.293-22.403-21.732频率1.51.61.71.81.92回损-22.043-22.947-24.182-25.259-25.907-25.48驻波1.1721.1531.1321.1161.1071.112支路1插损-3.032-3.059-3.073-3.102-3.155-3.116支路1相移75.56755.6136.516.927-2.4-22.26支路2插损-3.05-3.097-3.115-3.134-3.202-3.167支路2相移76.656.72337.6618.25-0.953-20.645隔离度s12-22.132-24.453-26.77-31.549-32.82-28.24隔离度s21-22.105-23.58-26.54-31.531-32.75-27.98四．作业设计一微带结构的威尔金森功分器，指标要求：中心频率：2.45GHz带宽：60MHz输出端口功率比：2：1频带内输入端口的回波损耗：S11-20dB，S22-20dB ，S22-20dB隔离度：S32-25dB板材参数：H:基板厚度(1.5 mm)，Er:基板相对介电常数(2.65)Mur:磁导率(1)，Cond:金属电导率(5.88E+7)Hu:封装高度(1.0e+33 mm)，T:金属层厚度(0.035 mm)TanD: