半导体器件原理第三章试卷.pptVIP

由于构成异质结的是不同的材料，它们的晶格常数一般是不相同的，所以在异质结中晶格失配是不可避免的。由于晶格失配，在两种半导体材料的交界处产生了悬挂键引入界面态; 3.3 异质结 能带图 在异质结交界面处，在晶格常数小的半导体中出现了一部分不饱和悬挂键。 理想突变异质结：假设两种材料晶体结构、晶格常数、热膨胀系数相同，忽略悬键的产生和界面态。 分析几种同型和异型异质结。通常设右侧材料具有较宽的带隙。 几种不同的异质结能带组合方式 不同的能带组合方式结合不同的导电类型组合，形成了种类丰富的异质结结构 跨骑、交错、错层 跨骑 交错 错层 真空能级 3.3 异质结 能带图 3.3 异质结 能带图 接触前 接触后， 电子从n—p； 空穴从p—n； N区存在正空间电荷区； P区存在负空间电荷区； 能带发生弯曲； * 正确画出异质结的能带结构，需要给出禁带宽度、导带或价带差，才能获得。 可以假设：导带的失调由材料的亲和势或功函数的差决定，由此，在获得禁带宽度差的条件下，即可获得正确能带结构。 窄带隙材料和宽带隙材料在接触前的能带图 异质结的能带图结构主要由两个因素决定：接触带边的能量不连续（由材料决定）和内建势垒（由掺杂决定） AlxGa(1-x)As GaAs 掺杂水平不同的pN结 nN结与二维电子气 E1 E2 V(z) z 二维电子气：电子堆积在异质结表面的势阱中，沿垂直于表面方向的运动变的量子化，即它的能量只能取一系列的分立值；而平行于表面的运动仍是自由的，能量可以是任意值。 热平衡时理想能带图（三角势阱） 电子亲和准则：理想异质结中，导带处的不连续是由于两种半导体材料电子亲和能不同引起的。 1）界面处出现能带的突起和凹陷，可以促进或阻挡载流子。 2）界面处存在局域态，起到复合和俘获中心的作用。 3）两侧材料带隙宽度不同，宽带材料成为窄带材料的窗口。 4）两侧材料折射率不同，折射率小的材料成为折射率大的材料的反射层，使光封闭于高折射率的材料中。 外延工艺→晶格匹配的同型和异型异质结 最重要的应用：光电子器件方面 3.3 异质结 异质结特点： 小结 金半接触——整流接触；势垒高度因金属功函数与半导体电子亲和能的不同而不同； 外加电压存在时，肖特基势垒的变化； 肖特基势垒二极管的理想I-V关系； 肖特基二极管与pn结二极管的区别：肖特基二极管的IV特性和PN结特性类似，但肖特基二极管的热电子发射电流比PN结扩散电流要大几个数量级； 电子亲和准则：在一个理想的异质结中，导带处的不连续是由于两种半导体材料电子亲和能的不同引起的； 半导体异质结，新型现代半导体器件的基础。 半导体异质结的特点。 * END * 思考题： 比较肖特基势垒二极管和pn结二极管正偏条件下I-V特性； 解释肖特基势垒二极管和pn结二极管开关特性不同的原因。 3.1肖特基势垒二极管 非理想因素 二、界面态对势垒高度的影响 实验发现，很多半导体在与金属形成金--半接触时，半导体中的势垒高度几乎与所用金属无关，只与半导体有关，几乎是常数。 理想MS接触认为接触势垒仅由金属的功函数决定，实际上半导体表面存在的表面态对接触势垒有较大影响。 表面态位于禁带中，对应的能级称为表面能级，表面态分为施主型和受主型两类。 若能级被电子占据时呈电中性，释放电子后呈正电，称为施主型表面态。 若能级空着时呈电中性，而接受电子后呈负电，称为受主型表面态。 3.1肖特基势垒二极管 非理想因素 界面态的影响 施主型表面态：能级释放电子后显正电性。 受主型表面态：能级接受电子后显负电性。 * 表面态的电中性能级 电中性条件 当表面态有净的正电荷存在时，造成半导体内正施主电荷量减少，从而使得空间电荷区缩短，势垒降低； 当表面态有净的负电荷存在时，造成半导体内正施主电荷量增多，从而使得空间电荷区加宽，势垒增高； 实际肖特基势垒高度是电场强度和表面态的函数。由于表面态密度无法预知，所以势垒高度是一个经验值 3.1肖特基势垒二极管 非理想因素 与pn结不同，主要靠多数载流子的运动来决定电流的情况。 电流-电压关系 * 电流输运过程 正偏电压下的五种基本输运过程 从半导体→金属，越过势垒（中等掺杂，中等温度主要过程） 穿过势垒，量子隧穿（重掺杂，低温，主要针对欧姆接触 在空间电荷区扩散 在耗尽区内电子扩散 空穴从金属注入并扩散到半导体（相当于中性区的复合） 其它： 边缘漏电流，界面电流 1、从半导体→金属，越过势垒 高迁移率半导体→热发射理论 低迁移率半导体→扩散理论 二者综合：广义的热电子扩散理论 两个过程： 电子扩散漂移通过耗尽层，再从半导体向金属发