半导体器件原理第四章试卷.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Cμ为集电结电容，CS为集电区与衬底之间的电容，rC为集电区串联电阻，τC通常比较小，在有些情况下可以忽略不计。 集电极电容充电时间 xdc为集电结耗尽区宽度 4. 6 频率上限 延时因子 集电结耗尽区渡越时间 假设电子以饱和漂移速度vs通过集电结耗尽区，则BJT器件的集电结耗尽区渡越时间可表示为： 4. 6 频率上限 晶体管截止频率 α截止频率fα：定义为共基极电流增益α由低频值下降到 所对应的频率。 β截止频率fβ ：定义为共发射极电流增益β由低频值下降到 所对应的频率。 特征频率fT ：β=1时对应的工作频率（电流放大最高工作频率） 4. 6 频率上限 晶体管截止频率 * 截止频率 共发射极电流增益的幅值下降到其低频值的　　时的频率 β截止频率与特征频率的关系 第四章：双极晶体管 * 4. 1 双极晶体管的工作原理 4. 2 少子的分布 4. 3 低频共基极电流增益 4. 4 非理想效应 4. 5 等效电路模型 4. 6 频率上限 4. 7 大信号开关 4.8 其他双极晶体管结构 将一个晶体管从一个状态转换为另一个状态强烈依赖于频率特性。然而，作开关时晶体管处理的是变化的大信号，而研究频率效应时则假定输入信号幅度只有较小的变化。 开关特性 npn晶体管，由截止状态转换为饱和态，然后再转换为截止态。我们将描述在转换过程中在晶体管内发生的物理过程。 * 延迟时间 存储时间 上升时间 下降时间 BJT器件也可以工作在开关状态，此时外加信号为大信号，BJT器件在截止关断和饱和导通两种状态之间转换。 下图所示为BJT器件集电极电流的变化波形，其中td称为延迟时间，tr称为上升时间，ts称为存储时间，tf称为下降时间。在td时间内，发射结充电，BJT逐渐开始导通；在tr时间内，基区载流子积累，BJT逐渐进入饱和；在ts时间内，抽取基区过剩载流子，逐渐退出饱和；在tf时间内，发射结放电，BJT逐渐变为关断； 当BJT器件分别处于正向放大状态和饱和状态时，器件基区和集电区中的电荷存储效应 正向有源晶体管中的过剩电荷 存储在饱和态正偏晶体管中的额外电荷 肖特基钳位晶体管 采用肖特基钳位二极管可以减小存储时间，提高开关速度。 连接于晶体管C、B极之间的肖特基二极管具有较小的正向偏置电压→使晶体管在应用于饱和模式时，其饱和程度比较浅→基区和集电区存储的过剩少子浓度比较少→存储时间可以大大减少→提高开关速度。 在肖特基钳位晶体管中，存储时间通常为1ns或更小。 B E C B E C 第四章：双极晶体管 * 4. 1 双极晶体管的工作原理 4. 2 少子的分布 4. 3 低频共基极电流增益 4. 4 非理想效应 4. 5 等效电路模型 4. 6 频率上限 4. 7 大信号开关 4.8 其他双极晶体管结构 多晶硅发射极晶体管； 锗硅基区晶体管； 双极型功率晶体管。 多晶硅发射极晶体管 4.8 其他双极晶体管结构 因此BJT器件发射区中过剩少数载流子空穴的浓度梯度大大降低，从而可以有效地提高BJT器件发射结的注入效率及其共发射极电流增益。 利用多晶硅发射极减小发射区中过剩少数载流子空穴的浓度梯度，从而提高发射结的正向注入效率 假设发射区的多晶硅部分和单晶硅部分的中性区宽度均比各自的扩散长度小很多，则在每个区中少子均为线性分布。 由于DE(poly)DE(n+)，于是在n+区中B-E结耗尽区发射区边缘，少子浓度梯度下降。表明基区反注入到发射区的电流减小了。 SiGe基区晶体管 锗的禁带宽（～0.67eV）度远比硅（～1.12eV）的小。将锗掺进硅中，那么同纯硅相比，其禁带宽度会降低。若将锗掺入硅双极晶体管的基区中，禁带宽度的降低一定会影响器件的特性。我们想要的锗分布是，在靠近发射结处锗浓度最小、在靠近集电结处，锗浓度最大。 SiGe基区晶体管 非常小浓度的线性锗分布 E B C 硅基区 锗硅基区 4.8 其他双极晶体管结构 由于锗的浓度非常小，这两种晶体管的发射结实际上是完全一样的。然而，锗硅基区晶体管靠近集电结处的禁带宽度比硅基区晶体管的要小。而基极电流是由发射结参数决定的，因此两种晶体管的基极电流实际上是完全一样的。禁带宽度的变化将会影响集电极电流。 E C B 在相同的基极电流下，增益大导致发射极电流大，因而发射极扩散电阻小，E-B结充电时间短，截止频率高。 如果禁带宽度减小100mev，那么集电极电流和电流增益会增大约4倍。 通过Si基区和SiGe基区晶