34均匀平面波对平面分界面的垂直入射改.pptVIP

YOUR SITE HERE LOGO * 返回 一、对理想导体平面的垂直入射： 3.4 均匀平面波对平面分界面的垂直入射 设电磁波沿z方向从理想介质垂直向理想导体平面入射，z=0 为两种理想介质的分界面，假设电场沿x方向极化 。 图3.10 均匀平面波向理想 导电平面垂直入射 入射波场量可表示为： 返回 　由于理想导体内既无电场也无磁场，电磁波不能进入理想导体，入射波到分界面后会发生全反射。 　反射波表示为： 　利用边界条件： 返回 入射波和反射波的合成场为 上面合成场的坡印廷的矢量平均值为 所以合成波为驻波 返回 驻波特性 由于 瞬时值形式 返回 图3.11 驻波电场和磁场的时空关系 １.由电场和磁场在空间的分布图可知：任意时刻，空间某些点处电场恒为零，磁场恒为最大值；这些点的位置： 返回 ３.驻波电场和磁场在空间相互垂直，在时间上有 π/2相移，位置上错开λ/4。 ４.入射波与反射波场量振幅相等，合成波为驻波。驻波的坡印廷矢量平均值为０，不能传输电磁能量。 ２.在空间某些点处磁场恒为零，电场恒为最大值；这些点的位置： ５.为满足边界条件，导体表面有电流密度： 返回 二、对理想介质平面的垂直入射： 图3.12 均匀平面波向理想介质平面垂直入射 　假设电磁波沿z方向由理想介质１向理想介质２入射，z＝0处为分界面 返回 　反射波场量 　折射波场量 返回 　由边界条件：　和　的切向分量连续 　所以 　解方程得 反射系数 折射系数 返回 　分界面左侧入射波和反射波的合成场为 　将上面的电场表达式写成下面的形式 驻波 行波 12 返回 图3.13 均匀平面波垂直入射到理想介质分界面上的反射 （H——磁场驻波，E——电场驻波，T——行波） 三、对导电媒质平面的垂直入射： 图3.14 均匀平面波向导电平面垂直入射 　假设电磁波沿z方向由导电媒质１向导电媒质２入射，z＝0处为分界面。 　分界面左侧，入射波和反射波的合成场为： 10 返回 　分界面右侧，折射波场量为： 返回 　入射波坡印廷矢量平均值为： 　反射波坡印廷矢量平均值为： 　折射波坡印廷矢量平均值为： 　可验证反射波的坡印廷矢量平均值加上折射波坡印廷矢量平均值等于入射波的坡印廷矢量平均值。 18 返回 趋肤效应: 良导体, , 对电磁波(微波)而言, 则 很大,即电磁波 进入良导体后,很快就衰减完毕.亦即良导体中的电磁波只能存在于表面很薄的一层中-------趋肤效应. 趋肤深(程)度 : 电磁波的强度衰减到表面值的 时所经过的距离为 . 返回 趋肤厚度随着频率的升高和电导率的增加而减小. 若２区为良导体　 其中　 返回 例3.6 分别计算频率为f1=50Hz、f2=1MHz、f3=10GHz时电磁波在铜中的趋肤厚度。已知铜μ≈μ0、ε≈ε0、σ=5.8×107S/m。 mm mm mm mm 解： 当f1=50Hz时　 当f2=1MHz时　 当f3=10GHz时 返回 例3.7 均匀平面波的电场振幅为10-2V/m，从真空中垂直入射到理想介质平面上。已知介质的μ=μ0、ε=4ε0,求入射波、反射波和折射波的坡印廷矢量平均值。 解：反射系数为 折射系数为 14 YOUR SITE HERE LOGO