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SSD选择 各大知名半导体制造厂商都有SSD产品，而且种类繁多，例如TI的模拟开关，松下的PhotoMOS光电耦合器，欧姆龙的MOS FET继电器，东芝的光继电器等等。如何选择出合适开关特性的SSD？有一点应该是显而易见的，即：最为重要的开关特性取决于开关的使用方式： ·存在哪些V+电平？ ·需要传导多大幅度的信号？ ·系统的最大信号失真限值是多少？ 我们假设系统中开关使用方式是： ·S断开时，发射机发射信号，发射信号电压一般在几百伏特，我们设定为峰—峰值为200V，频率为100kHz，电流约为0.2A，发射信号中还可能会有1000V左右的浪涌电压存在，所以我们就要考虑： 1000V的浪涌电压是否会破坏开关？ ·S闭合时，接收机接收信号，由于接收信号很微弱，此时就要考虑： 开关在工作的时频率的范围？ 开关中自身噪声对微弱接收信号的干扰程度？ 微弱接收信号通过开关的衰减是多大？ 一、TI模拟开关[1] 以下是在选择合适的TI模拟信号开关时需要考虑的一些因素 V+ —— 对于非充电泵型开关而言，V+决定了模拟信号可削波传导的幅度。传输晶体管的栅极必须相对期望输入电压范围的最小值和最大值施加偏置。某些开关允许从两个电源来施加偏置，因而使其易于传导正信号和负信号。具有集成型充电泵的开关能够将栅极电压提升至高于V+（代价是需要消耗较大的I+），从而传导幅度大于V+的信号。 VIH / VIL —— 为什么这些参数是重要的模拟信号开关考虑的因素？在大多数应用中，信号开关受控于数字信号源的输出；因此，控制信号电平和必须与该信号相兼容，以确保开关的正确操作。 通态电阻（） —— 由于与信号损失及劣化有关，因此低的折衷是必须考虑的。非充电泵型开关利用大的传输晶体管来实现低。而此类较大的晶体管会导致芯片尺寸增大，并增加输入/输出电容（）。该额外增加的通道电容会造成非常严重的影响，因为它将限制开关的频率响应。采用充电泵技术的开关能够实现低和低，但所需的I+则明显提高。 通态电阻平坦度（）—— 该参数详细说明了在规定的条件范围内的最小值和最大值。这些条件通常是指温度或者电源电压的变化。 导通/关断电容（/）—— 总的开关和负载电容会影响响应时间、稳定时间和扇出限制，因此必须纳入考虑的范畴。 频率响应 —— 所有的CMOS开关都具有所能传导的频率上限。不管在芯片制造商的处理工艺中能够将和保持在如何低的数值，阻容耦合仍将形成一个不希望的低通滤波器，从而衰减开关的输出信号。 正弦波失真和总谐波失真（THD）—— 该参数用于衡量器件的线性度。非线性度有可能因多种因素而引入（设计、器件物理特性等等）；但通常情况下最大的影响因素是，对于所有类型的CMOS开关而言，将随着VI/O而改变。拥有低是重要的，但是在整个信号范围内保持平坦的同样重要。对于的信号范围，n沟道开关呈现出非常平坦的特性；但随着Vi/o逐渐逼近V+、以及VGS的下降，将急速增加。并联n/p沟道开关则在的信号范围提供了良好的平坦度，并在推荐的最高开关电压电V+上具有最佳的平坦度特性。 串扰 —— 需要考虑的串扰有两种： ·控制（使能）至输出的串扰 —— 串扰的级别是对开关控制信号与开关输出之间去耦优劣程度的度量指标。由于CMOS处理工艺的寄生电容的原因，改变控制信号的状态将导致输出端上出现噪声。在音频应用中，这可能是令人反感的劈啪声的来源 — 在音频设备开启和关闭时有时会听到这种声响。 ·开关之间的串扰 —— 串扰的级别是衡量相邻通道抑制能力的指标。与控制至输出的串扰一样，寄生电容会将源自一个开关上的信号耦合至另一个开关的信号。 关断隔离（OFF Isolation）—— 对关断状态下的开关阻抗的度量。该参数以dB为单位，通过在特定的频率下对处于关断状态的相应通道（NC至COM或NO至COM）进行测量而确定。 馈通（Feedthrough）—— 该特性参数与开关在关断状态下阻隔信号的能力有关。与串扰一样，寄生电容可使高频以耦合的方式通过开关，从而使得开关看似处于导通状态。 电荷注入（Q）—— TI规定了使能至输出串扰，而某些竞争对手则采用这种电荷注入参数。与使能至输出串扰一样，改变控制引脚的状态将导致电荷被耦合至晶体管的通道，从而引起信号噪声。 先断后接（BBM）时间 —— 当信号通路因选择输入而改变时，确保两个多路复用器的通路之间决不存在电气连接。该参数在规定的条件范围内测量，并通过在控制信号改变状态时测量两个相邻模拟信号通道（NC和NO）的输出之间的传播延时确定，如下图所示： 先接后断（MBB）时间 —— 当信号通道因选择输入而改变时，确保两个多路复用器的通路决不开路。该参数在规定的条件范围内测量，并通过在控制信号改变状态时测量两个相邻模拟通道（NC和NO）的输出之间的传播延时而确定，如下图：