X频段低噪声放大器.PDFVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN 104753470 A (10)申请公布号 (43)申请公布日2015.07.01 (43)申请公布日 (21)申请号 201310747538.4 (22)申请日 2013.12.31 (71)申请人 南京理工大学常熟研究院有限公司 地址 215513 江苏省苏州市常熟市经济技术 开发区科创园研究院路5 号 (72)发明人 申明磊 余海 朱丹 (51)Int.Cl. H03F 1/26 (2006.01) 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 (54)发明名称 X 频段低噪声放大器 (57)摘要 本发明公开了一种X 频段低噪声放大器。包 括一级低噪声放大电路、两级高增益放大电路，第 一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器、第三级 晶体管放大器分别对应低噪声放大电路、两级高 增益放大电路，各级晶体管放大器通过中间级匹 配电路依次级联，各级晶体管放大器分别包括晶 体管、栅极偏置电路、漏极偏置电路，所述晶体管 的栅极和漏极通过偏置电路与供电端连接，所述 第一级晶体管放大器栅极到地串联有电感，其余 各级晶体管放大器中的栅极直接接地。本发明 频率范围为9GHz~11GHz，增益大于33.9dB，噪声 小于0.75dB，输入输出驻波比小于1.3，具有小型 化、低噪声、高增益、低成本、高可靠性的特点。 A 0 7 4 3 5 7 4 0 1 N C CN 104753470 A 权 利 要 求 书 1/1 页 1.一种X 频段低噪声放大器，其特征在于：包括一级低噪声放大电路、两级高增益放大 电路，其中一级低噪声放大电路以及两级高增益放大电路采用晶体管放大器，第一级晶体 管放大器、第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器分别对应低噪声放大电路、两级高增 益放大电路，各级晶体管放大器通过中间级匹配电路依次级联，各级晶体管放大器分别包 括晶体管、栅极偏置电路、漏极偏置电路，所述晶体管的栅极和漏极通过偏置电路与供电端 连接，所述第一级晶体管放大器栅极到地串联有电感，其余各级晶体管放大器中的栅极直 接接地；信号由输入匹配电路输入到第一级晶体管放大器后，通过级间匹配电路依次经过 第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器最后由输出匹配电路输出。 2. 根据权利要求1 所述的X 频段低噪声放大器，其特征在于：第一级晶体管放大器的 单指栅宽75 μm，单胞有4 指栅条，栅宽300 μm ；第二级晶体管放大器的单指栅宽80 μm，单 胞6指，总栅宽480 μm ；第三级晶体管放大器的单指栅宽100μm，单胞6指，总栅宽600 μm， 源漏间距3 μm。 3. 根据权利要求1所述的X 频段低噪声放大器，其特征在于：在MMIC 电路中采取了集 总和分布参数电路混合匹配，半导体材料选择GaAs，有源器件选择PHEMT，输入和输出端口 匹配至50 Ω，各模块之间用微带线进行连接。 2 2 CN 104753470 A 说 明 书 1/2 页 X频段低噪声放大器 技术领域 [0001] 本发明属于电子电路领域，更具体地涉及一种广泛用于X 频段各类雷达组件及通 信系统的单芯片低噪声