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第10章 射频信号产生电路 10．1 射频振荡器 10．1．1 振荡器电路分析方法 10．1．2 共发射极的双极型晶体管振荡器 10．2 压控振荡器的相位域模型 10．3 相位噪声和抖动 10．3．1 相位噪声 10．3．3 相位噪声分析模型 10．3．5 振荡器相位噪声分析 10．4 微波频率振荡器 10．4．1 TDRO作为串联反馈元件 10．4．2 TDRO用做并联反馈元件 10．4．3 振荡器最大输出功率 10．4．4 压控振荡器(VCO) 10．4．5 压控振荡器HMC513LP5 在雷达、通信、导航和电子对抗等微波系统中，射频信号产生电路是必要的，其中，振荡器是其核心器件，它也可以称为直流一射频变换器或无限增益放大器。一个典型的微波振荡器基本上是由一个有源器件(二极管或三极管)和确定频率的无源谐振元件组成的。后者加微带线、表声波(SAW)器件、谐振腔，或用于固定调谐振荡器的介质谐振器和用于可调谐振荡器的变容二极管或钇铁石榴石(YIG)球。随着微波技术的迅速进展，对振荡器的性能要求也越来越高，重点要求所有振荡器都能达到噪声低、体积小、成本低、效率高、温度稳定性高和可靠性高。 在现代无线通信系统中，RF和微波振荡器通常被用做频率变换和产生载波的信号源，它们可以称为直流—射频变换器或具有无限增益的放大器。随着技术的发展，现在要求振荡器具有噪声低、成本低、体积小、效率高、调谐线性度好、建立时间短、温度稳定度高、可靠性好、频带宽等特点。 闭环传递函数则由一个前向支路传递函数 和反馈支路传递函数 构成： 写出电流遵循的方程如下： 10．4．4 压控振荡器(VCO) 用来实现电子调谐的变容二极管可以是硅二极管，也可以是GaAs二极管。硅与GaAs之间的主要区别是：GaAs器件能实现较高的Q值(这是由于—对于给定掺杂级N，GaAs的电阻率较低)，其热阻也比硅器件的高，这使得GaAs器件的频率稳定时间比硅器件长得多。 图用双极型晶体管和变容二极管的典型VCO电路。对于一个GaAs FETVCO采用如图所示的电路结构可以实现更大的带宽。图用双极型晶体管和硅突变结二极管的低噪声VCO结构。该振荡器在8GHz调谐带宽为8％，在偏离载频100kHz处有低达210dBc的出色相位噪声。可以通过采用图10－26所示的推—挽型VCO结构来扩展晶体管VCO的宽频带。该电路抵消了基频而使二次谐波在输出端达最佳状态。 第10章 射频信号产生电路 10．1 射频振荡器 10．1．1 振荡器电路分析方法 10．1．2 共发射极的双极型晶体管振荡器 10．2 压控振荡器的相位域模型 10．3 相位噪声和抖动 10．3．1 相位噪声 10．3．3 相位噪声分析模型 10．3．5 振荡器相位噪声分析 10．4 微波频率振荡器 10．4．1 TDRO作为串联反馈元件 10．4．2 TDRO用做并联反馈元件 10．4．3 振荡器最大输出功率 10．4．4 压控振荡器(VCO) 10．4．5 压控振荡器HMC513LP5 4.在规定了输入数据的一组值（假定n个），并且程序要对每一个输入值分别处理的情况下，可确立n个有效等价类和一个无效等价类。 eg. 对不同级别军官发放不同服饰，输入集合为{尉官，校官，将官，元帅}，因此有效等价类有4个：{尉官},{校官},{将官},{元帅}；无效等价类有一个{其他输入} 5.在规定了输入数据必须遵守的规则的情况下，可确立一个有效等价类（符合规则）和若干个无效等价类（从不同角度违反规则）。 eg. 市内电话号码输入要求为“首位不为0的8位数字”，则有效等价类为{首位不为0的8位数字}，无效等价类可以包括{首位为0的8位数字}{不足8位的纯数字}{包含非数字的8位字符串}{包含非数字的不足8位的字符串}{空输入}等。 6.在确知已划分的等价类中各元素在程序处理中的方式不同的情况下，则应再将该等价类进一步的划分为更小的等价类。 eg. NEXTDATE 可以提问 可以提问 可以提问 可以提问 可以提问 17．5．2 频率可调振荡器 宽带可调振荡器在频率合成器、检测仪表和电子对抗系统中有着广泛的应用。这类振荡器可进一步分为以下两种电路：这种振荡器还可以细分成以下，几种类型的电路。 1．YIG可调振荡电路(YTO) YIG是钇铁石榴石的缩写，它是一种谐振频率由作用在上面的偏置磁场决定的磁性晶体材料。用适当偏置磁场下的YIG晶体可构成一个高Q值的谐振电路，其调谐范围可达一个倍频程。频率的调节是通过将YIG晶体放置在磁场中(由