双载子接面电晶体（英语BipolarJunctionTransistor，简称BJT），又称三.doc

雙載子接面電晶體（英語：Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT），又稱三極體，根據不同的摻雜方式，在同一矽晶片上，製造出三個摻雜區域，形成兩個 P-N接面。 依照極性可分成兩種： NPN型 PNP型 以 NPN 電晶體為例：在雙載子接面電晶體裡，雖然基極內的電洞較多，是多數載子。但是電流的傳遞，主要卻是透過基極裡的少數載子（即電子）來完成的，也因此 BJT 被稱做少數載子元件（minority-carrier devices）。 目錄 [隐藏] 1 簡介 2 製作考量 3 操作模式 3.1 順向主動區（Forward active region） 3.2 飽和區（Saturation region） 3.3 截止區（Cutoff region） 4 基本電路 4.1 共射極 4.2 共基極 4.3 共集極 4.4 各種組態的特性比較與電路實例 5 原理與模型 5.1 h參數模型 6 相關條目 7 參考文獻 編輯] 簡介 NPN電晶體操作在射－基極接面順向偏壓，基－集極接面逆向偏壓的狀態 以下以NPN電晶體做主要的例子： 一個電晶體可以被視為兩個二極體共用一端，像NPN電晶體為共用正極，而PNP則是共用負極。在一般狀況下，射－基極接面跨有順向偏壓（簡稱順偏），而集－基極接面卻相反，接的是逆向偏壓（簡稱逆偏），在這種操作模態之下主要當作放大器使用，稱為順向主動模式。 [編輯] 製作考量 為了使集極電流更大，產生放大作用，在製造電晶體時會採取以下策略： 射極區的電子濃度會做得較集極高，方便電子擴散，而PNP電晶體也相同，射極區的電洞濃度較集極更高些，通常差兩個數量級左右。 由於電子在穿越基極的過程中，容易和電洞結合（recombine）而消失，故在BJT基極的部分會盡量做薄，基極做得越薄，則電子所需擴散的距離也就愈短，得載子能夠較容易跨越它而到達集基-集接面的空乏區。 故各極載子濃度和基極寬度對於集極電流來說是相關的。 [編輯] 操作模式 雙極電晶體有三種主要工作區間：截止區、飽和區、順向主動區。 原則上，作開關用的電晶體工作於截止區與飽和區間，切換時才短暫進入順向主動區。作A類與AB類放大用的電晶體工作於順向主動區；B類與C類放大器雖也以工作於順向主動區為主，但在訊號處於某些相位時會落入其他工作區。 [編輯] 順向主動區（Forward active region） 以NPN電晶體為例子，射極接負電壓，基極接正電壓形成順偏，而集極電位又較基極高，是為逆偏，此時電晶體處於工作區（active region）。在NPN電晶體處於順向主動區時，射極P-N接面上空乏區（depletion region）的熱平衡會被破壞，大量的電子由濃度高的射極區經基極擴散（diffusion）到達基－集極接面的空乏區。到達空乏區後，由於空乏區內形成的電場，電子又被拉入集極，形成集極電流iC [編輯] 飽和區（Saturation region） 以NPN電晶體為例子，當射－基極、集－基極接面均跨有順向偏壓時，BJT操作在飽和區。 BJT的飽和區與MOSFET的飽和區雖然名稱相同，但定義完全不同，MOSFET的飽和區操作模式，反而比較近似於BJT的順向主動模式。 [編輯] 截止區（Cutoff region） 電晶體處於不導通狀態。 [編輯] 基本電路 電晶體放大器電路的組態可分為三種： [編輯] 共射極 主條目：共射極 共射極電路的訊號由基極輸入，集極輸出，射極作為輸入電路和輸出迴路的公共點。 共射極，同時具有電壓增益與電流增益，因此具有較大的功率增益。能使輸入訊號與輸出訊號反相180度。且輸出電流不會經過輸入電路，為其優點。當電路工作在適當的靜態工作點，即保證訊號電壓始終處在不失真的狀態下，其動態電壓放大參數為： 其中β為三極體的放大倍數，即射極電流與基極電流之比：  [編輯] 共基極 主條目：共基極 共基極電路的訊號由射極輸入，集極輸出，基極為輸入電路和輸出電路的公共點。 共基極放大電路輸入電阻（從輸入端看進去的等效電阻）小，易造成訊號電壓在訊號源內阻上的壓降較大而放大電路獲得的壓降較小的問題。不過，共基極放大電路的優點則在於其良好的高頻特性。  [編輯] 共集極 主條目：共集極 共集極電路的訊號由基極輸入，射極輸出，集極接共用點。 共集極，又稱為「射極隨耦器」。電壓增益小於1，電流增益較高。另一方面，這種電路的輸入電阻大、輸出電阻小，帶負載能力較強。常用於推動電容性負載。 [編輯] 各種組態的特性比較與電路實例 接地方式組態 電壓放大率 電流放大率 頻率特性 輸入阻抗 輸出阻抗 共射極 中 中 劣 中 中 共集極 低（小於1） 高 中 高 低 共基極 高 低（小於1） 良