基于0.18μmcmOs工艺的功率放大器设计.PDFVIP

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基于0.18μmcmOs工艺的功率放大器设计

第31卷 第6期 世界科技研究与发展 Vol.31 No.6     2009年12月 1088-1090页 WORLDSCITECHR&D Dec.2009 pp.1088-1090 基于018 mCMOS工艺的功率放大器设计 μ  于海燕 吴明赞  李 竹 (南京理工大学自动化学院,南京210094) 摘 要:本文在系统分析功率放大器的结构、设计原理、性能指标的基础上,根据功率放大器的应用背景,选择A类放大器进行设 计。设计时综合多种因素,合理选用共源共栅结构和共源结构的三阶差分放大电路,进行增益和输出功率分配,然后应用ADS软 件进行设计、优化和仿真。仿真结果表明,设计的功率放大器在其工作频率范围绝对稳定,实现了很好的输入输出匹配,具有较好 的线性度和隔离度,最终的仿真结果满足80211a标准。采用TSMC018 mCMOS工艺元件库,应用Cadence软件画出功率放大 μ 器电路的版图。 关键词:功率放大;CMOS工艺;ADS仿真 中图分类号:TN402   文献标识码:A    DesignofPowerAmplifierfor0.18mCMOS μ  YUHaiyan WUMingzan  LIZhu (SchoolofAutomation,NanjingUniversityofScience&Technology,Nanjing210094) Abstract:Inthispaper,onthebasisofanalyzingpoweramplifiersstructure,designprincipleandperformance,accordingtotheapplicationof poweramplifierbackground,selecttheClassAamplifiertodesign.Byapplyingsynthesizinganumberoffactors,selectthirdorderdifferential amplifierofcascodestructureandcosourcestructurereasonably,todistributegainandoutputpower.ThenuseADSsoftwaretodesign,opti mizeandsimulate.Thesimulationresultsshowthatthepoweramplifierinthefrequencyrangehasabsolutestability,reachesaverygoodin putandoutputmatch,obtainsgoodlinearityandisolation,theultimatesimulationresultsmeet80211astandard.ByusingTSMC018 m μ CMOStechnologylibraryandCadencesoftware,drawthelayoutoftheP

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