基于功耗限制的CMOS低噪声放大器最优化设计关键词噪声，放大器.PDFVIP

基于功耗限制的 CMOS 低噪声放大器最优化设计 关键词：噪声，放大器，低噪声放大器 LNA(L0W-Noise Amplifier)，射频 摘要：本文从功耗限制下的噪声最优化、阻抗匹配及小信号增益方面出发，详细讨论低噪声 放大器的设计方法，并采用 0.25μmCMOS 工艺设计一种工作在 2.4GHz 频率下、可应用于蓝 牙系统收发器的全集成的低噪声放大器。 在无线射频接收机中，射频信号要经过诸如滤波器、低噪声放大器及中频放大器等单元模块 进行传输。由于每个单元都有固有噪声，从而造成输出信噪比变差。采用多级级联的系统， 前面几级的噪声系数对系统影响最大。为了降低整个系统的噪声系数，必须降低第一、二级 的噪声系数并适当提高它们的功率增益，以降低后面各级的噪声对系统的影响[1]。低噪声 放大器 LNA(L0W-Noise Amplifier)作为无线射频接收机最前端的关键部件，要求：(1)噪声 最小，同时又要求具有一定的增益。(2)要求它有足够大的线性范围。(3)要求它与输入和输 出端口有良好的匹配，以达到最大功率传输或者最小噪声系数，而这两者又很难同时达到， 需要选择一个折衷方案。(4)要求它应具有一定的选频功能，以抑制带外和镜像频率的干扰。 基于低噪声放大器的上述四方面要求，本文从功耗限制下的噪声最优化、阻抗匹配及小信号 增益方面出发，详细讨论低噪声放大器的设计方法，并采用 0.25μmCMOS工艺设计一种工作 在 2.4GHz 频率下、可应用于蓝牙系统收发器的全集成的低噪声放大器。 1 电路分析与设计 采用电感源极负反馈、单端输入的基本电路形式[2-3]实现的低噪声放大器(LNA)如图 1 所示。图中，M1、M2 和LS 组成电感负反馈共源共栅 casocode 放大电路，以获得高隔离度、 低噪声系数和良好的输入阻抗匹配。在输入回路中，Lg1、Lg2 与M1的Cgs1及 Ls。谐振在 2.4GHz，并与输入端 50=Ω 阻抗相匹配，Cb1 为输入端的隔直电容。在输出回路中，Lt 与M 2 漏极的等效电容谐振在 2.4GHz。M3、Rref和 Rbias 组成偏置电路，调节 Rref 的大小可控 制电路直流工作点和静态功耗。M1栅极的偏置电压主要由 Rref 和M3 决定，而 Rbias 可以 进行微调。 1.1 功耗限制下的噪声最优化 主放大管 M1 对电路的噪声贡献最大，主要表现为沟道热噪声和栅感应噪声。根据噪声 理论[4-5]，沟道宽度 W和静态电流越大，噪声越小，但实际的设计必须考虑功耗的限制， 不可能用增大功耗的办法来减小噪声。本设计的功耗要求小于 15mW。下面以此为约束条件 推导出如何选择 M1 的尺寸以获得最优噪声。 系统噪声系数的近似表达式为： 式中，γ、δ 分别为 MOS 管沟道热噪声系数和感应栅噪声系数，c为这两种噪声之间的 相关系数(它们的取值由工艺决定)，ω0 是谐振频率，υsat、εsat 分别表示电子的饱和速 度及速度饱和时的电场强度，Rs 为50Ω 信号源阻抗，PD 为电路功耗，Po 为输出功率，Vdd 为电源电压，Vod 为输出电压的大小。 由 Charter 公司 0.25μmCMOS RF。工艺可以确定 M1 可取的最小沟道长度 L≌0.241μm， 电子饱和速度 υsat=76090m／s，电子的有效迁移率 μeff=0.03932m2／(υs)，速度饱和电 场强度为 噪声系数 F 与M1 尺寸选取有着以下密切关系： 式中，QL 为输人谐振同路的品质因子，Cgs为 MOS 管栅源之间的电容，Cpx为 MOS 管栅氧化 层电容密度。由公式(3)、(4)、(5)、(6)、(7)可得： 对于每一个功耗值，都对应一个最佳的 Ql,opt 值，使该功耗下的噪声系数