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2017-06-13 发布于天津
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基本MOSFET放大器

基本MOSFET放大器 1. 偏壓電路設計與分析 2. 基本MOSFET放大器 3. IC MOSFET放大器應用電子學 8-22中興物理孫允武偏壓電路設計與分析 Discrete MOSFET amplifiers 的偏壓設計 1. 因為IG=0 ，電路容易設計。 2. I 和V 有關，必須小 D GS 心設計。 3. RG通常很大在M範圍。在IC製程相當麻煩，故此類偏壓設計在IC設計中不太使用。應用電子學 8-23中興物理孫允武 IC MOSFET amplifiers 的偏壓設計 IC電路偏壓設計的一些基本原則： 1. 少用電阻，多用電晶體，省空間。即用active load 。 2. 使用電流源。電流源一般有兩種：一種是用前面提到過的空乏型元件，將GS短路；另一種是使用電流鏡(current mirror) 。基本MOS電流鏡 3 V 決定I 。 1 I 決定V 。 GS O REF GS 1 W 2 1 W 2 I k (V V ) I k (V V ) O 2 n L GS t REF n GS t 2 2 L 1 2 I O (W / L)2 Q 和Q 有相同的V ，若也在 I REF (W / L)1 1 2 GS 相同的基板同時製作， V 也相 t 尺寸比例可以控制得很準確。同，k’也相同，溫度也相同。應用電子學 8-24中興物理孫允武 I 電流鏡的輸出特性 O