气相法,薄膜生长技术-动态ppt分析.pptx

;课时安排：64课时，每周2大节课。;气相法;化学气相沉积法;概念：;分类;设备的基本构成;优缺点;优缺点;化学气相沉积制备的薄膜材料;等离子体增强气相沉积法 (PECVD，Plasma Enhanced CVD) ;等离子体的作用;气体分子与高浓度高能电子碰撞生成离子及活性基团； (b) 活性基团直接扩散到基片； (c) 活性基团与其它气体分子作用，形成所需前驱分子； (d) 所需前驱分子扩散到基片； (e) 未经活化气体分子直接扩散到基片； (f) 部分气体被直接排出； (g) 到达基片表面的各种基团反应沉积，并释放反应副产物。;① 工作原理： ? 置于反应器之外的线圈由射频电源驱动产生高频 交变电场  ? 高频电场诱发室内气体击穿放电、电离形成等离子体  ? 在反应气体下游放置基片，即可得到薄膜的沉积  ? 也可以在上游只通入惰性气体，而在下游输入反 应气体， 使之在惰性气体电离的等离子体作用下 活化反应，完成沉积;;优缺点;优缺点;热辅助化学气相沉积法（hot-filament-assisted chemical vapor deposition,HFCVD);常用方法：热丝CVD法（一般选用钨丝） 该方法加热衬底和衬底支持物，使中央温度快速达到反应温度，主要是气体分解，沉积薄膜。;热丝法的生长过程： 1、反应气体输运到沉积区。 2、反应气体分子由主气流扩散到衬底的表面。 3、反应物分子吸附在衬底表面。 4、反应物分子间发生化学反应，生成的硅原子在表面迁移聚集、沉积。 5、反应副产物分子从衬底表面解吸。 6、副产物分子由衬底表面扩散到主气流中，然后排出沉积区;-△E/kT ;△E为反应激活能。 其中沉积速率与沉积温度之间呈指数关系，表明衬底温度对沉积速率起决定性影响。 但是温度较高时，沉积速率将不再受化学反应速率的控制，这时到达衬底表面的反应物分子的数量将决定沉积速率的大小，此情况称为质量传输控制 ;光辅助化学气相沉积法;激光辅助CVD装置示意图;1）激光的特点：能量集中、单色性好、方向性好; 3）主要优势： ① 反应迅速集中、无污染； ② 能量高度集中、浓度梯度和温度梯度大、成核生长好； ③ 对参与反应物和???积方向性具有选择能力； ④ 沉积速率很高，基片整体温升很小（50℃的衬底温度下既可实现SiO2薄膜的沉积！） ;4）不足：;作业; 下节 物理气相沉积法;物理气相沉积法