掺硼多晶硅的远红外光谱.PDFVIP

维普资讯 8(1989)，5：32l一326 缸 外 研 究 CM ．一J—Inr… d R a|． 掺 硼 多 晶硅 的远 红 外 光 谱 陈辰嘉 (北京大学物理系，北京) _ A ．Borghes[． ．Geddo，A ．Stella (P vh大学物理系，P 意大利) 摘要——用傅里叶变换光谱仪在 15K和 g30~620om 范围 内研 究 了 不 同台n 量的P型掺B多晶硅的远缸外吸收光谱 ．观测和分析了8I中受主 (B)基杰到Pa 价带相关的激发杰系列的跃迁．实验结果表 明，随着Fe浓度 的增加 ，B受主激发谱 的吸收强度显著减弱．证 明Fe 对 的形成和 Fe杂质 在晶粒边界的可能 的积 累．实 验还 观测 到P型Sz(B)中不 周台Fe量时 607om-1处O局域振动模的吸收变化，讨论 了Fe杂质对 O振动嗳收的影响． 关键词——P型掺硼多晶硅，受主基态，价带激发态，远红外吸收谱． 1．引 言 多晶硅用于厘米尺寸太阳能电池 已成为电子工业近年来很重要的材料．为了获得低耗 费、高质量 的器件，对它的结构、电学、光 电特性进行了大量的研究，特别是有关多晶硅 中杂 质作用的研究，以确定在太阳能电池分类原材料中所允许的杂质临界周值浓度 “一． 已知在单晶 8i中，当杂质浓度超过一定临界阈值时，电学和光 电品质会严重地下降．面 对 多晶 由于存在结构缺陷，如晶粒间界等，情况将更为复杂． 本文研究恒量 B受主浓度并掺不 同含量 Fe的多晶8j样品的光谱特性．通过对红外傅 里 叶变换谱的研究，分析了由于 Fe的引入对其远红外光谱的影响． 2．实 验 掺恒量B的多晶8i锭是在大气压Ar气氛中用提拉法生长的，并掺以不同量的Fe．多 晶片沿多晶锭凝固方向切割，晶粒平均直径为 1mm．表 1给出不 同样品中Fe浓度的计算 本戈l98s年扭 月强 日收现， r 维普资讯 红 外 研 究 8卷 值．用中子激活分析法测得 Fb含量低于 5×10“／em “ ．样品中B原子浓度是常量，受主 浓度 由四探针测得的电阻率数据确定，为 ～5×105at／om3．随着 Fb含量的增加，电激活 的 B浓度下降，图1表示多晶硅样品中空穴浓度与掺 Fe含量的关系． Ft W 图 1 多 晶硅样品中空定浓度与掺Fe含量的关系 F蟾．1 HDIeconcentration埘 ironcontent intentiona,lly iron~loped polycrystallinesfli0on samples 用西德BrukerIFS113V型傅里叶光谱仪完成傅里叶变换红外透射测量，分辨 率 为 O om～ 光束直径约为 5m