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IGCT应用指南 I 株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部 目 次 1 引言 1 2 规范性参考文件 1 3 适用范围2 4 相关术语2 5 型号标识说明2 6 器件特性参数3 6.1 关键参数及特点3 6.2 阻断特性3 6.3 机械特性4 6.4 IGCT参数6 6.4.1 通态特性6 6.4.2 开通特性8 6.4.3 关断特性9 6.5 门极驱动单元 10 6.5.1 原理框图10 6.5.2 门驱单元特性11 6.5.3 光纤控制端口11 6.5.4 门驱单元接口13 6.5.5 状态反馈14 6.6 热特性 14 6.7 特性曲线 16 6.7.1 IGCT测试电路16 6.7.2 IGCT通态电流和通态电压16 6.7.3 IGCT浪涌电流和脉宽的关系17 6.7.4 IGCT单脉冲关断损耗与关断电流的关系17 6.7.5 IGCT安全工作区18 6.7.6 斩波器模式中门极单元最大输入功率18 6.7.7 IGCT的开关特性19 6.8 IGCT测试及试验 19 6.8.1 出厂测试19 6.8.2 周期试验1 19 6.8.3 周期试验2 20 6.8.4 型式试验20 6.8.5 试验说明21 7 IGCT应用说明21 7.1 IGCT应用注意事项21 7.1.1 门驱单元应用注意事项21 7.1.2 IGCT应用注意事项22 7.1.3 压装注意事项22 7.2 IGCT的吸收回路22 7.3 IGCT的重触发24 7.3.1 内部重触发24 7.3.2 外部重触发24 II 株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部 8 应用范围24 9 IGCT的包装、运输、贮存24 9.1 IGCT的包装24 9.2 产品合格证明24 9.3 IGCT的运输24 9.4 IGCT的贮存24 10 IGCT的标识24 11 参考文献25 12 供方地址26 III 株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部 IGCT器件技术总规范 1 引言 IGCT （Integrated Gate Commutated Thyristor，集成门极换流晶闸管）是一种门极可控制关断的开 关器件，兼具GTO与IGBT的优点，其关断特性如晶体管，而开通特性像晶闸管，具有阻断电压高、功率容 量大、开关速度快、通态损耗低、无需关断吸收电路、易于串并联等优点。因集成低感门极驱动单元（以 下简称“门驱”），用户只需配置相应的门驱电源、完成散热器压装及导电排连接、配备合适控制策略的 控制器即能应用，可节约变流器的开发成本、缩短开发周期，方便应用和维护工作。 IGCT因其功能多，效率高及性价比高，已成为中、高压电力变流器应用领域可供选择的功率器件之一， 可广泛应用于各重要领域，如工业、能源、交通、军工装备等，尤其适用与PWM工作模式，已成为兆瓦级 变流器的主流器件。 IGCT通常指一只带门驱的完整器件，GCT指压接型半导体元件。IGCT器件按其结构可分为AS-IGCT （既 无反向阻断也无反向导通能力的非对称型IGCT）、R -IGCT （能反向导通的逆导型IGCT）及R -IGCT （能反 C B 向阻断的逆阻型IGCT，也称对称型）。 株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部自2003开始研制IGCT器件，现已有多款成熟器件，并在 工业变流器、直流断路器、风电变流器、脉冲开关等多个领域取得成功应用。目前正根据市场需求开发更 大功率容量、更快开