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电子空穴对单电子陷阱存储器的设计与分析 - 电子学报
第 11 期 电 子 学 报 Vol . 28 No . 11
2000 年 11 月 ACTA ELECTRONICA SINICA Nov . 2000
电子空穴对单电子陷阱存储器的设计与分析
程子川 ,蒋建飞 ,蔡琪玉
(上海交通大学微电子技术研究所 ,上海 200030)
摘 要 : 本文论述了由 Ti/ TiOx/ Ti 介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器 ,结合 目前扫描
( )
隧道显微镜 STM 进行纳米加工的特点 ,设计了该存储器的电路结构及其结构参数 ,计算出电路的电容矩阵 ,并用
Monte Carlo 法对电路特性进行了模拟. 结果表明 ,该存储器与其它单电子存储器有相同的存储特性 ,但具有较高的工
作温度及工作稳定性.
关键词 : 介观隧道结阵列 ; 单电子陷阱; 单电子晶体管静电探测计
中图分类号 : TN302 文献标识码 : A 文章编号 : (2000)
De sign and Analy si s of Single Electronhole Trap Memory
CHEN G Zichuan ,J IAN G Jianfei ,CAI Qiyu
( Microelectronics Research Center , Shanghai J iaotong University , Shanghai 200030 , China)
Ab stract : In this paper ,a single electronhole trap memory based on Nanometallic ( Ti) island and Ti/ TiOx/ Ti mesoscopic
tunnel j unction is proposed. According to the Scanning Tunneling Microscope ( STM) Nanometer fabrication technology ,we design its
structure and parameter and calculate its capacitance matrix. The characteristics of our circuit are simulated using Monte Carlo func
tion . Our circuit has the similar character as other single electron memory. However it has higher operating temperature and higher sta
bility.
Key word s : mesoscopic tunnel j unction array ;single electronic trap ;single electron transistor electrometer
1 引言 该存储器的结构, 给出了具体的结构参数, 并计算出模拟所需
库仑阻塞效应是单电子器件的一个基本特性 , 电荷只有 的电路电容矩阵, 最后我们对电路特性的模拟结果进行了讨
在其获得的能量大于静电能时才能穿过介观隧道结. 利用该
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