自适应偏置SOICMOS功率放大器的设计-微电子学.PDFVIP

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2017-06-14 发布于天津
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自适应偏置SOICMOS功率放大器的设计-微电子学

第卷第期微电子学 , 46 3 Vol.46 No.3 年月 2016 6 Microelectronics Jun.2016 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 自适应偏置SOICMOS功率放大器的设计 , 1 12 1 , , 胡世林孙凯郝明丽 ( , ; , ) 1.中国科学院微电子研究所北京 100029 2.山东大学信息科学与工程学院济南 250100 : , 摘要基于工艺设计了一款用于的高效率功率放 IBM 0.18 mSOICMOS WLAN CMOS μ 。 , , 大器为了提高电路的可靠性该放大器的驱动级和输出级均采用自适应偏置电路使得共栅管和。 , 共源管的漏源电压分布更为均衡该芯片采用两级共源共栅结构片内集成了输入匹配电路和级。 , , , 间匹配电路测试结果表明该放大器的增益为 23.9dB 1dB压缩点为 23.9dBm 效率为。 /, , 。当测试信号为在为处输出功率达到 39.4% IEEE802.11 54Mbs EVM 3% 16.3dBm g : ; ; ; 关键词功率放大器自适应偏置共源共栅结构 SOI 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN432 A 1004-3365201603-0306-05 DesinofaSelf-AdativeBiasSOICMOSPowerAm lifier g p p , 1 12 1 , ,