电力电子技术第九章器件的温升与散热资料.ppt

下 页 上 页 返 回 第九章 器件的温升与散热 9.2.2 暂态热阻抗 变流设备出现负荷的大幅变化，使变流设备的传输功率急剧增加，从而导致变流设备中功率半导体器件自身的损耗成正比地增加。这些突增的损耗，须通过功率半导体器件的散热渠道迅速扩散出去。 温升超过一定数值时，会损坏半导体器件，急速增加的损耗相当于散热功率的急剧增加，散热环节中的散热材质必须能承受这种暂态热冲击。 下 页 上 页 返 回 第九章 器件的温升与散热 功率半导体器件的暂态热阻抗表征了半导体材料对温度迅猛上升的反应能力。 在热传导过程中，由于瞬态耗散功率的增加，导致导热材质在短时间内不能迅速将热传导出去，从而造成导热材质自身的温度增加。导热材质的温升多少则取决于材质本身的热容量。 暂态热阻抗 暂态热冲击所呈现的热阻抗。 下 页 上 页 返 回 第九章 器件的温升与散热 热容 导热材质的热存储能力 。 “热容”用符号Cs表示： A: 材质的横截面积,单位为m2 d : 长度，单位为米 Cv：导热材质单位体积内的热容量，（单位体积的热能Q随温度T的变化率），单位为J/K(焦耳/开)。Cv可表示为： 下 页 上 页 返 回 第九章 器件的温升与散热 热量的散失是时间的函数。经过一段时间后，结温与热量散失之间建立起一个平衡。 R0 Pcond(t) t Rq Pcond(t) Ti(t) Ta 热时间常数为： tq log(t) Rq Ti(t＝tq)=0.833P0Rq 下 页 上 页 返 回 第九章 器件的温升与散热 如果时间t比导热材质的热时间常数tB小，结温随时间的变化关系为： 式中，P0为恒定的热输入功率。当时间t远大于热时间常数tq 时，可近似认为Tj达到了它的最终稳态值P0Rq +Ta。 tq log(t) Rq Ti(t＝tq)=0.833P0Rq 导热材质在暂态过程中呈现出的暂态热阻抗Zq(t)。 下 页 上 页 返 回 第九章 器件的温升与散热 实际的装置中，热量流过很多层不同的物质。 Ta TC Tj TCu P(t) 热沉积 铜 硅 P(t) Rq(S) Ta Cs(Cu) Tj Rq(Cu) Rq（散热片） Cs(S) Cs(散热片) Rq(S). Rq(Cu). Rq（散热片） Rq(S). Rq(Cu) Rq(S) log(t) tq(S) tq(Cu) tq（散热片） Tj 结 散热片 隔离层 外壳 Ta 总的暂态热阻抗Zq(t)是每层暂态热阻抗之和，不同的导热材质有对应的暂态热阻抗曲线。 下 页 上 页 返 回 第九章 器件的温升与散热 如已给定暂态热阻抗Zq(t)的特性，并且已知随时间变化的传导热功率P(t)，就可以估算出半导体器件的结温： 如果输入的热功率特性为矩形脉冲函数，其脉冲宽度的有效范围为0≤t≤t2，则结温的估算根据以下表达式计算： 下 页 上 页 返 回 第九章 器件的温升与散热 Rq(S). Rq(Cu). Rq（散热片） Rq(S). Rq(Cu) Rq(S) log(t) tq(S) tq(Cu) tq（散热片） 热阻抗曲线图主要是用来估算热阻抗，并根据式 Tj(t)=P0[Zq(t)-Zq(t-t2)]+Ta 得到半导体的结温。 如果热输入功率P(t)曲线图不是矩形脉冲形式，一般也可采用矩形脉冲来近似。 下 页 上 页 返 回 第九章 器件的温升与散热 当热输入功率为图中所示的正弦半波函数时，可用正弦半波峰值P0作为矩形脉冲的幅值来近似，对应的脉冲宽度为T/4。结温估算表达式为： 等效矩形脉冲 正弦半波函数 T/8 P(t) P0 t u(t)为阶跃函数 3T/8 T/2 0 下 页 上 页 返 回 第九章 器件的温升与散热 要增加器件的暂态热传导功率，就必须增加器件的热时间常数pRq Cs/4 ，但这种方式行不通。 将式 和式 相乘后 （再乘上p/4）得: 要增加热时间常数，就应增加Cv的值。 为了降低热阻，通常应增加热传导率。 热传导路径的长度d尽量短，以减小热阻Rq。 下 页 上 页 返 回 第九章 器件的温升与散热 在实际情况下，一般应优先保证选择较小的热阻Rq，这时的热时间常数相对小一些。 大多数的功率器件拥有大大超过它的平均功率的过载能力。 器件在暂态工作中的散热能力很重要的。 器件的过载能力不仅包括规定的暂态功率额定值，还包括它所能耐受的时间。过负荷幅值的大小不同，器件能够耐受的时间也不相同。 下 页 上 页 返 回 第九章 器件的温升与散热 如散热片采用自然冷却，则它的翼片之间的距离至少10-15mm, 如再涂上黑色的涂料，那么它的热阻将下降25%左右。 铝散热片