第12章场效应管及放大电路.ppt

* * 主编 宫迎新 制作 赵一心 2006年8月 电工与电子技术 12.1 结型场效应管 12.2 绝缘栅场效应管 12.3 场效应管放大电路 第12章 场效应管及放大电路 12.1 结型场效应管 结型场效应管是利用半导体内的电场效应进行工作的。也称为“体内场效应器件”。 一、结型场效应管的结构 结型场效应管的结构如图12-1（a）所示。它是在一块N型半导体材料两边扩散高浓度的P型区（用P+表示），形成两个PN结。两边的P+型区引出两个电极并连在一起称为栅极(g)，在N型本体材料的两端各引出下个电极，分别称为源极（s）、漏极（d）。 栅极、源极、漏极分别相当于三极管的基极、发射极、集电极。两个PN结中间的N型区域称为导电沟道。这种结构称为N型沟道结型场效应管。 图12-1（b）是它的符号，其中箭头的方向表示栅结正向偏置时，栅极电流的方向，它是由P指向N的，故从符号上就可识别d、s之间是N沟道。 如果在一块P型半导体材料的两边分别扩散一个高浓度的N型区（用表示），则可构成P沟道结型场效应管，如图12-2所示。以上两种结型场效应管虽然在结构上不同，但工作原理完全相同，下面以图12-1所示的N沟道结型场效应管为例进行分析。 二、工作原理 图12-3（a）所示的是UGS=0的情况，这时耗尽层只占N型本体很小的一部分，导电沟道比较宽，电阻与导电材料的截面积成反比，故沟道电阻较小。 如果在栅源之间外接较小的直流偏压，即UGS= -EG ，如图12-3（b）所示，由于两个PN结都加了反向电压，于是耗尽层加宽，导电沟道变窄，沟道电阻变大。 如果进一步增加栅源电压，则耗尽层将进一步向中间靠拢，以致当UGS负到某个数值时，两边的耗尽层将合拢，如图12-3（c）所示。导电沟几乎为零，沟道电阻很大，这时的栅源电压称为“夹断电压”，用UP表示。 综上所述，改变栅源负电压UGS的大小，也就改变了导电沟道的宽度，从而改变了沟道电阻的数值。如果在漏极和源极之间接入适当大小的电源ED ，在UGS=0时，由于沟道电阻较小，N型半导体中的多数载流子由源极通过导电沟道向漏极运动，形成较大的漏极电流ID，随着栅源电压负得更大UPUGS0，沟道电阻将增大， ID将减小；当 时，ID =0 。这种利用电压所产生的电场，控制半导体中电流的效应，称为“场效应”，场效应放大元件就是利用这一原理制成的。 根据以上分析，有以下结论： （1）结型场效应管栅源之间的PN结是外加反向电压的，所以从栅极几乎没有电流输入，它的输入电阻很大。 （2）在ED不变的情况下，栅源之间很小的电压变化可以引起漏极电流ID的变化，即利用UGS来控制ID ，也就是说它是一种电压控制元件。 （3）在EG不变情况下，栅源电路中引入 一个小的交流输入ui信号时，如图12-4所示，则漏极电流就会随着ui作同样的变化，并在漏极电阻RS上得到一个较大的电压变化uo作为输出，这就是场效应管能够组成放大电路的基本原理。 12.2 绝缘栅型场效应管 耗尽型：UGS=0时漏、源极之间已经存在原始导电沟道。 增强型：UGS=0时漏、源极之间才能形成导电沟道。 无论是N沟道MOS管还是P沟道MOS管，都只有一种载流子导电，均为单极型电压控制器件。 MOS管的栅极电流几乎为零，输入电阻RGS很高 N沟道耗尽型场效应管的特性曲线 耗尽型场效应管存在原始导电沟道，UGS=0时漏、源极之间就可以导电。这时在外加电压UDS作用下的漏极电流称为漏极饱和电流IDSS。UGS0时沟道内感应出的负电荷增多，沟道加宽，沟道电阻减小，ID增大。UGS0时会在沟道内产生出正电荷与原始负电荷复合，沟道变窄，沟道电阻增大，ID减小。UGS达到一定负值时，沟道内载流子全部复合耗尽，沟道被夹断，ID=0，这时的UGS称为夹断电压UGS(off)。 增强型场效应管不存在原始导电沟道， UGS=0时场效应管不能导通，ID=0 。 UGS0时会产生垂直于衬底表面的电场。P型衬底与绝缘层的界面将感应出负电荷层，UGS增加，负电荷数量增多，积累的负电荷足够多时，两个N+区沟通，形成导电沟道，漏、源极之间有ID出现。在一定的漏、源电压UDS下，使管子由不导通转为导通的临界栅、源电压称为开启电压UGS(th)。 UGS UGS(th)时，ID=0； UGS UGS(th)时，随UGS的增加ID增大。 N沟道增强型场效应管的特性曲线 * * * * *