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第一章　半导体二极管和晶体管 1.1 半导体的基本知识 1.2 PN结 1.3 半导体二极管 1.4 半导体二极管的应用 1.5 稳压二极管 1.6 双极型晶体管 1.6 双极型晶体管（BJT） 半导体三极管有两大类型： 一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管* 例题讲解 例1 如图所示各晶体管处于放大工作状态，已知各电极直流电位。试确定晶体管的类型（NPN /PNP、硅/锗），并说明x、y、z 代表的电极。 小结 (2) IC=ICBO 3．发射结反向偏置、集电结反向偏置——截止状态 截止状态的特点 (1) 发射结反偏 (3) IB=－ICBO 4．发射结反向偏置、集电结正向偏置——倒置状态 (1) 集电区扩散到基区的多子较少 倒置状态的特点 (2) 发射区收集基区的非平衡少数载流子的能力小 (3) 管子的电流放大系数很小 晶体管工作状态的特点总结: 放大状态：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC=? ? IB (2) 饱和状态：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止状态：发射结反偏，集电结反偏。 UBE 死区电压， IB ?0 ， IC?0 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，如共发射极接法，也称共发射极组态，简称共射组态，见下图。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示； 晶体管的三种组态 晶体管共射极接法的伏安特性曲线 1．共射极输入特性 共射极输入特性 三极管共射极接法 uCE=0V uCE≥1V (1) 输入特性是非线性的， 有死区。 (2) 当uBE不变，uCE从零增大 时，iB将减小。 输入特性的特点 (3) 当uCE≥1V，输入特性曲线几乎重合在一起， 即uCE对输入特性几乎无影响。 uCE=0V uCE≥1V 2．共射极输出特性 输出特性曲线 饱和区 截止区 放大区 i B = 20 μ A 0 40 60 80 100 2 4 6 8 0 1 2 3 4 iC/ mA uCE/ V 各区的特点 (1) 饱和区 a. UCE≤UBE b. IC＜βIB c. UCE增大， IC 增大 饱和区 i B = 20 μ A 0 40 60 80 100 2 4 6 8 0 1 2 3 4 iC/ mA uCE/ V (3) 截止区 a. IB≈0 b. IC≈0 (2) 放大区 a. UCEUBE b. IC=βIB c. IC与UCE无关 饱和区 放大区 i B = 20 μ A 0 40 60 80 100 2 4 6 8 0 1 2 3 4 iC/ mA uCE/ V 截止区 NPN管与PNP管的区别 iB、uBE、iC、 iE 、uCE的极性二者相反。 PNP管电路 NPN管电路 硅管与锗管的主要区别 (3) 锗管的ICBO比硅管大 (1) 死区电压约为 硅管0.5 V 锗管0.1 V (2) 导通压降|uBE|约为 锗管0.3V 硅管0.7 V 晶体管的主要参数 1. 直流参数 (3) 集电极——基极间反向饱和电流ICBO (1) 共基极直流电流放大系数 (2) 共射极直流电流放大系数 (4) 集电极——发射极间穿透电流ICEO 2. 交流参数 (1) 共基极交流电流放大系数α (2) 共射极交流电流放大系数β 1.β值受温度影响，随温度升高而增大。 2.近似计算时，通常认 、 ，即对交、直流电流放大系数不加区分。 注： 3. 极限参数 (4) 集电极最大允许电流ICM (1) 集电极开路时发射极——基极间反向击穿 电压U(BR)EBO (2) 发射极开路时集电极——基极间反向击穿 电压U(BR)CBO (3) 基极开路时集电极——发射极间反向击穿 电压U(BR)CEO (5) 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流iC流过三极管，所发出的焦耳热为： PC =iCuCE 必定导致结温上升，所以PC有限制。 PC?PCM iC uCE 等功耗线PCM = iCuCE ICM U(BR)CEO 安全工作区 温度对管子参数的影响 1．对β的影响 2．对ICBO的影响 3．温度升高，管子的死区电压降低