seminarattachedfile2014062120140621184246_AlN薄膜童桂杰.ppt.ppt

1、溅射气压0.3Pa 时，薄膜生长速率较快，沉积衬底在表面的原子或原子团还没有来得及完全扩散就被下一个原子或原子团所掩盖，使得晶粒难以长大，表现为颗粒较小，如3.5a 所示。 2、从图3.5b、c 看出，溅射气压上升到0.6Pa、0.9Pa 时，薄膜的生长速率下降，为薄膜晶粒的长大赢得了时间，薄膜的晶粒尺寸明显的长大，溅射气压在0.6～0.9Pa 溅射范围内变化时，薄膜的表面形貌变化不明显； 3、在气压上升1.2Pa 时薄膜的晶粒变小，表面显得略微光滑。 图 3.5 为不同气压下AlN 薄膜的颗粒形貌 薄膜的溅射气压的变化会影响粒子的平均自由程，溅射气压较低时，溅射粒子平均自由程长且与其他气体粒子碰撞几率小，系统内部能量高，有利于（002）晶面择优取向生长；溅射气压较高时，溅射粒子平均自由程短且与其他气体粒子碰撞几率增加，系统内部能量低，有利于（ 100）晶面择优取向；当溅射气压增加到一定程度时，到达衬底的溅射粒子能量低，系统内没有足够的能量生成晶态AlN 薄膜，XRD 衍射图谱上呈现出宽化的漫散射峰，但测试发现在此工艺条件下沉积的Al 薄膜的衬底表面电阻率显著增大，说明沉积得到的有可能是的非晶AlN 薄膜。 四、不同的溅射功率下制备AlN薄膜 采用直流磁控溅射的方法制备AlN薄膜，实验中选用铝靶材的纯度为99.995%直径为60mm,厚度为5mm,工作气体Ar和反应气体N2纯度均为99.995%,选用Si为基片。在沉积之前须用5%的IIF清洗Si片,除去其表面的氧化层,然后再用酒精和丙酮进行超声清洗。沉积前，挡上挡板，将靶材先预溅射15min以除去靶面的三氧化二铝层，通氮气后，再预溅射10min,待靶的电流和电压充分稳定再露出基片,以保证薄膜初始沉积就有良好的取向. AlN薄膜的XRD图 AlN压电薄膜应用于表声波器件,其结构必须具有良好的晶面择优取向。 当溅射功率为35W 和50W时，AlN薄膜均以(100)面择优取向，衍射峰强度高,半高宽窄。 当功率为65W 和80W时,AlN薄膜的择优取向程度变差,同时出现了(100),(002),(101),(110)。当功率继续增大到100W 时,由于溅射速率过快,溅射出的Al原子来不及氮化就飞向基片,造成Al多N少的Al薄膜,因而在XRD图出现了Al的（200） 和（220）衍射峰. AlN薄膜的AFM（原子力显微镜视图） 图a和图b是溅射功率为35W时，原子力显微镜的平面视图和三维视图， 图c和图d分别是溅射功率为50W和60W时AlN薄膜试样的AFM三维视图。 从平面图可以看出AlN薄膜的晶粒尺寸均匀，致密，平均晶粒大小大约在60nm左右。从三维视图可以看出：随着溅射功率的增大，表面粗糙度逐渐增大。 功率 粗糙度 表面最高突起 AlN平均晶粒大小 35W 2.59nm 21.0nm 60nm 50W 3.09nm 26.3nm 60nm 60W 3.78nm 38.3nm 60nm 溅射功率的增大，薄膜表面粗糙度增大。 原因： 增大靶的功率的过程中对表面粗糙度的影响有两个方面： 一：由于沉积速率过快，减小Al和N原子在基片表面的扩散长度,使之晶化速度减慢,从而使表面粗糙。 二：为了降低总的表面能+细小晶粒间有一种聚合作用，溅射速率过快，使细小晶粒间的聚合作用减小，这一过程会使表面平滑。 1)溅射功率对薄膜的晶面取向影响较大，当功率在35W时60W薄膜以(100)面择优取向，随着溅射功率的增大，薄膜择优取向程度变差，甚至出现Al相。 2)通过对薄膜表面粗糙化机理的研究，发现随着溅射功率的增大，沉积速率加快，减小了原子在表面的扩散长度。使沉积原子的晶化速度减慢，从而导致表面粗糙。 结论： Thankyou! AlN氮化铝薄膜 ——童桂杰 * 1、AlN薄膜的晶体结构，性质，特点，用途 2、 AlN薄膜的制备方法 3、 AlN薄膜的表征方法 * 4、不同衬底温度下制备AlN 薄膜 6、不通溅射气压下制备AlN 薄膜 7、不同的溅射功率下制备AlN薄膜 AlN 是Al、N 稳定的化合物，属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。 AlN 的结构主要有两种：一种是立方晶系的闪锌矿型晶体结构；另一种是六方晶系的纤锌矿型晶体结构（AlN陶瓷和AlN薄膜都属于此种结构）。 AlN 六方纤锌矿晶体结构图 * AlN 电学性质,光学性能,化学性质,机械性能 1.4.1 声表面波器件 1.4.2 冷阴极材料及高频大功率器件材料 1.4.3 磁光记录材料表面增透膜 1.4.4 做绝缘埋层 1.4.5 红外光学器件保护层 AlN 具有高硬度、高热导率、耐高温性、介电常数大、化学稳定性等优良的综合性能，与S i 和GaAs 有较好的