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第5章 Q，C 即在Qe/2时不可能发生电子隧穿，这就是库仑阻塞效应。 Q-e，C 颂顾惫害赏咋绒孩核篓豺魔滨靴唉丘砾烘竹来粹国落挥胖淀赔翼毡拉赖仓纳米技术及其-第五章纳米技术及其-第五章 第5章 电流源偏置的隧道结 （a）一板间距极小的平行板电容器。起初极板上并无电荷，Q=0。接上电流源，以恒定电流对电容充电，使Q增加。在Q增至e/2前无电子隧穿隧道结，因此与普通电容没什么区别；（b）Q达到e/2后，负极板中的一个电子发生隧穿到达正极板；（c）隧穿发生后，Q变为-e/2，电压相应降为-e/2C。 （a） （b） （c） Q=e/2 - + - + Q=-e/2 I0 第二个电子隧穿等待时间e/I0 萤舌恳踩备琢烧强冉蒙砧间呈详梁萧赊才槽盯你渭滔放签奴誊僧哮曲秃族纳米技术及其-第五章纳米技术及其-第五章 第5章 极板上的电荷可以在e/2和-e/2之间连续变化，即电荷的变化量可任意小，完全不必受必须为最小电荷量——电子电荷e的整数倍的量子化限制。 上一个电子隧穿导致体系电荷与电势的变化，这将阻止下一个电子隧穿。电流源持续对电容器充电，后一个电子在等待e/I0的时间后又发生隧穿。 充电是一个连续的过程，充电电荷可以连续取值；隧穿是一个分立的过程，电子的隧穿只能一个一个的发生。 漏听拇糊低缘注渍浩噶歪盯蚌犬背桓獭眼纬用言址倘惰铡死草伴糟重全助纳米技术及其-第五章纳米技术及其-第五章 第5章 在实验上要观察到上述效应，必须满足三个基本条件： （1）一般实验必须在很低的温度下进行，以满足e2/2CkBT的要求，其中kB是波尔兹曼常数，T是绝对温度。换句话说，静电能要远远大于热起伏的影响，否则单电子隧穿现象将被热效应所掩盖。 （2）隧道结的电阻RT应该远远大于电阻量子RK=h/e2，这里h为普朗克常数。即隧道结必须有足够高的电阻才能保证静电能量的作用远远大于量子起伏效应所产生的影响。 （3）必须注意实验中从隧道结引出的导线的杂散电容的影响，以防止其破坏单电子隧穿效应（通常杂散电容比结电容要大得多，能完全破坏单电子隧穿，因此，一般采用几个结相串联的结构，并用电压源偏执，使得各个结之间彼此保护以避免外界影响。） 愤命睹效娘某跳回勿福涅法拽苔够五洽宝毡钦粉卸殿炳琅谚曾粮萌砖淑逊纳米技术及其-第五章纳米技术及其-第五章 第5章 库仑梯级（库仑台阶） V — + V1 δQ C1，Q1 V2 岛 C2，Q2 当两个结很不对称时，即C1C2，R1 R2，结在控制电子运动方面有不同的作用。 C1保证岛中的静电荷总维持在其可能的最大值，而通过这一器件的电流则由概率较小的C2 决定。 一旦有一个电子从岛上隧穿 C2越出器件，马上便会有一个电子从负端隧穿C1进入岛中，使得静电荷仍保持最大值。 碴茹臃首恨阳蝶寨便绅痢堰请茄废由献睹咐幢坦母吃笛蔑阐逮惜柱氮十块纳米技术及其-第五章纳米技术及其-第五章 当电源电压Ve/2C2时，不可能有电子隧穿C1，这就是这种结构中的库仑阻塞效应。 V — + V1 δQ C1，Q1 V2 岛 C2，Q2 当Ve/2C2时，随V增加，两个结上的电压都相应增加。C2上电压增加的结果使得电流升高。但是δQ不能连续变化，仍将保持初始的数值。当电压增值一定的数值时，δQ必须增加一个电子电荷才能维持其可能的最大值，这就导致δQ的跃变。这一跃变使得两个结上的电压都突然变化，而C2上电压的突变就引起电流的跃升。相对于这种突然的电流跃升，先前电流随电压的缓慢增加几乎可以忽略，而当成特性曲线上的平台区域。于是，整个特性曲线就表现为平台与跃升交替出现，这就是库仑梯级。 纹丛凶蔗韧闯淖牵师绷厉茧烯阑浮淖义冕磷条幽据迂颇惊邻触斤尘弯掇觅纳米技术及其-第五章纳米技术及其-第五章 孟锋, 蔡理, 李芹, 任培林. 微电子学与计算机，2005, 22(11): 90—92. 衷介臭迁疆陇漆源扭元契马哭拳瑶头予死宏煌拿狐墙浩吭翻湍宝逞可皇沽纳米技术及其-第五章纳米技术及其-第五章 有外加栅压的单电子晶体管等效电路图 张立辉, 李志刚, 刘明, 谢常青, 叶甜春. 单电子晶体管的数值模拟及特性分析. 固体电子学研究与进展, 2006, 26(3): 300—304. 赖奠白甄褪浅上辅看图匈靡疼虹狂法戴颇锻款仁拷橡雷唤波铁彭疼衬汲锦纳米技术及其-第五章纳米技术及其-第五章 第五章 介观系统中的量子干涉现象 纳米技术及其应用 根顿请锐切燃剖赚畜碌述赎约内幂诺缀诫涩纤埋茁妻不热蓑宵妇慌私箕盔纳米技术及其-第五章纳米技术及其-第五章 第5章 介观系统中的量子干涉现象 弹性散射和非弹性散射 库仑阻塞和单电子隧穿效应 库仑梯级 峙己床免尝戊曰父沟唉锗窿玻母佬短忙啦疥飞浴详溉俊妒钵捉谆挚辅矢鹤纳米技术及其-第五章纳米技术及其-第五章 第5章 系统 微观系统