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高功率二极管真空绝缘结构设计与实验 伍友成， 杨宇， 耿力东， 郝世荣 （中国工程物理研究院，四川绵阳621900） 摘要：介绍了二极管真空绝缘中真空沿面闪络理论、绝缘结构设计要点以及沿面闪络域值估算方法，提出二极管结 构优化设计的思路和方法，通过数值计算对一种高功率二极管真空绝缘设计进行了优化，一方面降低了三相点的电 场强度和绝缘体沿面电场强度，另一方面提高了绝缘体表面的沿面击穿场强，从而大大改善了二极管绝缘体的绝缘 性能，延长其使用寿命。实验结果表明优化后的二极管绝缘结构满足设计指标，在正常工作电压下未发生击穿现象。 关键词：真空绝缘；二极管；沿面闪络；击穿场强 中图分类号：TL503 文献标识码：A 文章编号：1000-100X（2010）01-0004-02 Design and Experiments of High Power Diode Insulation WU You-cheng， YANG Yu， GENG Li-dong， HAO Shi-rong （China Academy of Engineering Physics Institute of Fluid Physics，Mianyang 621900，China） Abstract：The theory on pulsed flashover of insulators surface in vacuum is introduced.The keys of diode insulation design in vacuum and the way of estimating flashover threshold are included.The method to optimize the diode insulation design in vacuum is presented.The insulation configuration is optimazed by numerical simulation，the flashover threshold is advanced and the work field of insulator surface is depressed.So the insulation capability of the diode insulator is improved greatly.The experimental results show that the flashover doesn’t happen on the surface of the insulator. Keywords：vacuum insulation；diode；flashover；breakdown field strength 4 极向阳极运动，最终形成通路，即形成完全的表面闪 络，导致击穿。 3 绝缘设计思路 根据真空沿面闪络理论，沿面闪络首先从三相 点的电子发射开始，因此必须严格控制三相点的电 场强度，根据国内外二极管绝缘设计的经验，三相点 的电场强度要求控制在25 kV/cm 以下。根据SEEA 理论，三相点发射的电子在电场作用下轰击绝缘体 表面，产生二次电子发射，二次电子再轰击绝缘体， 由此形成闪络通道，因此为了抑制二次电子对绝缘 体表面的轰击造成雪崩效应，比较典型的方法有两 种：一是使绝缘体表面与空间电场方向有一定的夹 角，尽量减小沿绝缘体表面电场的径向分量；另一种 是采取磁场抑制电场的办法。图1 示出几种绝缘材 料不同倾角的沿面击穿场强。总体来看，沿面击穿最 大场强出现在绝缘体表面与阴极表面夹角θ≈-45° 处，对于45°倾角有机玻璃的沿面闪络域值可用马 丁经验公式估算[4]，其表达式为： Eb=175/（t1/6A1/10） （1） 式中：Eb 为击穿场强，单位kV/cm；t 为峰值电压0.89 倍处的 脉冲宽度，单位μs；A 为绝缘体的表面积，单位cm2。 4 径向绝缘设计 若驱动高功率二极管的脉冲功率源输出电脉冲 宽度为100 ns，绝缘体真空一侧表面积约为700 cm2， 根据式（1）计算得到45°倾角时真空沿面闪络场强 Eb≈133 kV/cm。由图1 可知，在绝缘体表面与电力 线夹角为0°时的沿面闪络场强比45°时低得多，根 据经验，0°时沿面闪络场强取45°时的1/2 大小来估 算[5]，这里在绝缘子表面与电力线夹角为0°时的沿 面闪络场强以66 kV/cm 作为设计依据。 采用电磁场计算软件对阴极电压为-600 kV 时 二极管真空区的静电场进行了计算，图2 示出优化 二极管绝缘结构过程中考虑的几种结构。 图中左边为高压馈入端（水区），右边为二极管 真空区，中间为绝缘体，图中显示为等势线分布情