微电子件(3-10)BJT功率增益与fmax.pptVIP

3.10 功率增益和最高振荡频率; 再来简化 。当 时， 中的 r? 可略去，得：; 于是原 T 形等效电路; 当负载阻抗 ZL 等于 Zc 的共轭复数 Zc* 时，可得到最大输出功率。这时电流源 的电流中有一半流经负载。; 正如前面已指出的, , 信号频率每加倍，Kpmax 降到 1/4 ，或下降 6 分贝。; 定义：当 Kpmax 下降到 1 时的频率称为 最高振荡频率，记为 fM 。; 在高频下，有时需要考虑发射极引线的寄生电感 Le 的影响。; 由 可知，要提高 M ，应提高 fT ，降低 rbb’ 和 CTC ，应采用细线条的多基极条和多发射极条结构。; 提高 M 的各项具体措施及其副作用;要使 ?c↓，应：; ，故一般情况下应减小 WB 。但当 WB 减小到 ?b 不再是 ?ec 的主要部分时，再减小 WB ??继续减小?ec 已作用不大，而对 rbb’ 的增大作用却不变。同时工艺上的难度也越来越大。; (2) 对 NB 的要求; 减小 ?d 及 rcs 与减小 CTC 及提高 BVCBO 对 NC 有矛盾的要求。这个矛盾可以通过在重掺杂的 N+ 衬底上生长一层轻掺杂的 N- 外延层来缓解。外延层厚度与衬底厚度的典型值分别为 10 ?m 与 200 ?m 。; 总结以上可知，对高频晶体管结构的基本要求是：浅结、细线条、无源基区重掺杂、N+ 衬底上生长 N - 外延层。