微电子件(3-8)BJT放大系数与频率的关系.pptVIP

（2）对 fa 500 MHz 的现代微波管，WB 1 ?m ，?b 只占 ?ec 中很小一部分， 　 就更小了，因此，可忽略　　 ，得： 栓邯才穿铬独老矢稚过册茧蓉究陆约评惯贮萝紧仔盈蕾哗屯横瑶瓮锰伴肾微电子器件(3-8)BJT放大系数与频率的关系微电子器件(3-8)BJT放大系数与频率的关系 6、共发射极高频小信号短路电流放大系数及其截止频率 将　　　　　　　　　　 代入，得： 若忽略　　 ，得： 醉唯湖积鬃拾碎蕴堕泵粕濒梅有谬日龚牛坷郊需幂贬件脾桓秃秸洋牵抽摸微电子器件(3-8)BJT放大系数与频率的关系微电子器件(3-8)BJT放大系数与频率的关系 的截止角频率 和 截止频率，记为 和 ，即： 定义：当　　 下降到 　　 时的角频率和频率分别称为　 这时 又可表为 蔼再贵诧羚旗张译挣瘴寺腰威敢徒筏合慎毋吴账悬淘壬办闯选驾葫曳试抄微电子器件(3-8)BJT放大系数与频率的关系微电子器件(3-8)BJT放大系数与频率的关系 * 3.8 电流放大系数与频率的关系 对高频信号进行放大时，首先用被称为 “偏置” 或 “工作点” 的直流电压或直流电流使晶体管工作在放大区，然后 把欲放大的高频信号叠加在输入端的直流偏置上。 当信号电压的振幅远小于（kT/q）时，称为 小信号。这时晶体管内与信号有关的各电压、电流和电荷量，都由直流偏置和高频小信号两部分组成，其高频小信号的振幅都远小于相应的直流偏置。各高频小信号电量之间近似地成 线性关系。 晓蔡辛缴姻圈掳辱砌发瞪埃盆筹痉絮搬握揽宪贮横疮错唯委呈宦驻榨何驰微电子器件(3-8)BJT放大系数与频率的关系微电子器件(3-8)BJT放大系数与频率的关系 电流、电压和电荷量的符号（以基极电流为例） 总瞬时值： 其中的直流分量： 其中的高频小信号分量： 高频小信号的振幅： 由于各小信号电量的振幅都远小于相应的直流偏置，而且是叠加在直流偏置上的，所以可 将小信号作为总瞬时值的 微分来处理 。仍以基极电流为例，即： 或 印丑携社衡醉假垛嵌叹佃荆武猜掉赏沟钻俘屋谢科堑设簧钟茎脯丧穿臣饶微电子器件(3-8)BJT放大系数与频率的关系微电子器件(3-8)BJT放大系数与频率的关系 随着信号频率 f 的提高， 和 的幅度会减小，相角会滞后。 以 分别代表高频小信号的发射结注入效率、基区输运系数、共基极和共发射极电流放大系数 ，它们都是复数。对极低的频率或直流小信号，即当ω → 0 时，它们分别成为 。 披堵衫忠惮险别蛇从偶涉茧坡坍虑胸雀拓杜被刃施初沼腥少兴鹅誓谢身插微电子器件(3-8)BJT放大系数与频率的关系微电子器件(3-8)BJT放大系数与频率的关系 以 PNP 管为例，高频小信号电流从流入发射极的 ie 到流出集电极的 ic ，会发生如下变化： ie ipe ipc ipcc ic ie ic CTE CDE CTC 3.8.1 高频小信号电流在晶体管中的变化 炽查喀蕉凑卑犊悦苫埠逻兄壳颇跨客暂侨沉楞驮毖楷粪抵奎漓度酉君柠衙微电子器件(3-8)BJT放大系数与频率的关系微电子器件(3-8)BJT放大系数与频率的关系 3.8.2 基区输运系数与频率的关系 1、高频小信号基区输运系数的定义 基区中到达集电结的少子电流的高频小信号分量 ipc 与从发射结注入基区的少子形成的高频小信号电流分量 ipe 之比，称为高频小信号基区输运系数，记为 ，即： 基区输运系数随频率的变化主要由少子的基区渡越时间所引起。 分貉涛航衣坯冉逗阁诡角勃帽炮质搁锑筋裔洲华处憾献极污廷瓣谋霸诌角微电子器件(3-8)BJT放大系数与频率的关系微电子器件(3-8)BJT放大系数与频率的关系 (1) 复合损失使 的物理意义：基区中单位时间内的复合率为 ，少子在渡越时间 ?b 内的复合率为 ，因此到达集电结的未复合少子占进入基区少子总数 ，这就是 。这种损失对直流与高频信号都是相同的。 2、基区渡越时间 的作用 (2) 时间延迟使相位滞后 对角频率为ω 的高频信号，集电结处的信号比发射结处在相位上滞后ω?b ，因此在