1.2.3 半导体二极管.PPTVIP

1.2 .1 PN 结的形成 加入三价元素如硼，形成 P 型半导体 在一块本征半导体两侧 加入五价元素如磷，形成 N 型半导体 1.2.1 PN结的形成 1.2.2 PN结的特性 1.2.3 半导体二极管 1.2.4 特殊二极管 因浓度差 由杂质离子形成空间电荷区 多子的扩散运动 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 1.2.1 PN 结的形成 多子的扩散运动 少子的漂移运动 空间电荷区 耗尽层 阻挡层 势垒层 内电场 不能移动的杂质正离子和杂质负离子形成的空间电荷区称为 PN 结： 1.2.1 PN 结的形成 (1) PN 结加正向电压时的导电情况 PN结加正向电压时 PN 结外加正向电压 内外电场方向相反 外电场削弱内电场 PN 结变薄 多数载流子的扩散运动占优势 表现为电流很大，电阻很小 外加电压使 PN 结：P 区接电源的正极，N 区接电源的负 极，称为外加正向电压，简称正偏。 1.单向导电性 1.2.2 PN 结的特性 (2) PN 结加反向电压时的导电情况 PN结加反向电压时 PN 结外加反向电压 内外电场方向一致 PN结变厚 少数载流子的漂移运动占优势 表现为电流很小，电阻很大 外加电压使PN结：N 区接电源的正极，P 区接电源的负极，称为外加反向电压，简称反偏。 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 1.2 PN 结的特性 2. PN 结的击穿特性 3. PN 结的电容效应 PN 结两端电压改变时，会引起积累在PN 结的空间电荷量和两中性区的非平衡少数载流子数量的变化，从而显示出PN 结的电容效应。 PN 结电容包括势垒电容 和扩散电容。 雪崩击穿: 低掺杂的 PN 结中 齐纳击穿: 高掺杂的 PN 结中 电击穿: 可逆的 热击穿:不可逆 1.2 PN 结的特性 相当于势垒区放电 当PN 结正偏电压增大或反偏电压减小 空间电荷量减小 耗尽层变窄 (1) 势垒电容 势垒电容示意图 总之, 1.PN 结的势垒电容是用来描述势垒区的空间 电荷量随电压变化而产生的电容效应。 2. PN 结反偏时，势垒电容的作用明显。 1.2 .1 PN 结的特性 扩散电容示意图 总之 1.扩散电容是用来描述势垒区外侧的非平衡少子积累引起的电容效应。 2.正偏时,扩散电容的作用明显。 相当于电容的充电过程 当外加正偏电压增大时 多子扩散在对方中性区成为非平衡少子 结区边界附近少子浓度梯度最高 (2) 扩散电容 1.2.2 PN 结的特性 在 PN 结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 二极管按结构分有点接触型，面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN 结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 1.结构和类型 1.2.3 半导体二极管 (c)平面型 (3) 平面型二极管 用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN 结面积大， 用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 1.2.3 半导体二极管 2.伏安特性曲线 IS是为反向饱和电流 V 为二极管两端的电压降 VT=kT/q 温度的电压当量 k 为玻耳兹曼常数，k=1.38×10-23J/K q 为电子电荷量, q=1.6×10-19C T 为热力学温度 对于室温T=300 K ，则有 VT=26 mV 1.2.3 半导体二极管 (1) 正向特性 硅二极管的死区电压 Vth=0.5 V 左右， 锗二极管的死区电压 Vth=0.1 V 左右。 当 0 ＜ V ＜ Vth 时，正向电流为零， Vth 称为死区电压。 当 V ＞ 0 即处于正向特性区域，分为两段： 当 V ＞ Vth 时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 1.2.3 半导体二极管 (2) 反向特性 当 V ＜ 0 时，即处于反向特性区域，分两个区域： 当 VBR ＜ V ＜ 0 时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流。 当 V ≥