3.15 电光磁材料与器件Caroline A. Ross 教授2003 年秋季学期.PDF

3.15 电光磁材料与器件 Caroline A. Ross 教授 2003 年秋季学期 作业 3 上交日期：星期二，2003 年10月 14日 参考文献：Pierret，第 10，15，16 章 1．现有一双极结晶体管，其发射极的掺杂浓度为 1018cm-3 ，基极的掺杂浓度为 1016cm-3 ， 15 -3 -7 2 集电极的掺杂浓度为 10 cm 。该晶体管的横截面积为 10 cm 。基极的宽度W =5μm ， B 并且 WBLDB ，LBD 为少数载流子在基极中的扩散长度。同时假定发射极和集电极的宽 度均明显大于少数载流子在这些区域的扩散长度。 a) 画出平衡时的少数载流子浓度从晶体管的发射极到集电极的变化，耗尽区除外。 现在该晶体管上施加电压 VEB=0.3V，VCB=-2V 。 b) 该器件可应用在什么领域？其 IE ，IB ，IC 之间的相对值各是多少？ c) 画出在偏压下该器件内部少数载流子浓度随距离的变化。定量地标出发射极，基极和集 电极中浓度的最大值和最小值。 d) 忽略基极中耗尽区的长度，求从集电极到发射极的电流密度 ICE ？ e) 如果 VEB 的极性反向，定性地说明ICE 的变化。 2 ．一个具有双电源的 pnp 晶体管如下图所示： 输入输入 输出输出 a) 即使VCB=0 ，也可以获得较大的集电极电流。解释零偏压下的集电极-基极结作为少数载 流子的整流器是如何工作的。并确定漂移和扩散可能起的作用。 b) 尽管 VCB 从 0 增加到 10V 的影响并不是太大，但确实存在。在特定的 IE 电流下，为什 么随着 VCB 的增加IC 只是轻微增加? c) 该 pnp 晶体管被用作光敏晶体管(也即，光照在该器件上时会引起一个被放大的基电流) 。 2 该器件的转换速度有多快？已知基极宽度为 50μm ，并假设Dp=10cm /s 。 1 3 ．一个场效应晶体管(JFET)，其底栅与源相连并且接地。在漏上施加正电压VD ，在顶栅上 施加负电压 VG 。 顶部栅顶部栅 源源 漏漏 地地 a) 画出在 VD=0 并且 VG 足够大使得通道被夹断时，器件内部耗尽区的形状。 b) 已知在V =0 时，通道被夹断的栅电压为V =-8V，此时顶栅和底栅发生电接触。基于已 D p 知条件，请确定对于上述情形，在 V =0 时的夹断电压 V 。假设内建场 V =1V 。该答 D PT 0 案是否与问题(a)中的示意图吻合？ c) 假设 V V 0, 画出当漏电压增大至发生通道截断时的耗尽区形状。 PT G d) 当底门接地时，推导VD, sat 用 VPT ，V0 和 VG 进行表达的关系式。（答案应只含电压项） e) 根据你对问题(c)和(d)的回答，问底门接地时的VD, sat 比顶门和底门相接触时的VD, sat 更 大还是更小？解释原因。 4 ．一个理想的 MOS 结如下图所示。在 Si/SiO2 界面，能带弯曲使费米能级与本征能级相接。 a) 画出半导体内部的电荷聚集，静电势及电场随位置的变化。 b) 半导体内部是否满足平衡条件？画出半导体内部电子浓度随位置的变化