4 700V 碳化硅PiN 整流二极管 - 电工技术学报.PDF

2015 年 11 月 电 工 技 术 学 报 Vol.30 No. 22 第 30 卷第 22 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Nov. 2015 4 700V 碳化硅PiN 整流二极管 陈思哲 盛 况 （浙江大学电气工程学院 杭州 310027 ） 摘要 碳化硅PiN 二极管是一种理想的高压二极管器件，具有高阻断电压以及高电流导通密 度的特点。通过使用有限元分析的方法对器件外延层参数以及终端结构进行了仿真，提出了优化 的器件原胞和终端设计。基于50μm 厚、掺杂浓度为 1.5 ×1015cm−3 的N 型低掺杂外延，制备了电 压阻断能力达到4 700V 的高压碳化硅整流二极管。制备的器件具有较低的漏电流以及良好的正向 2 的电流导通密度条件下，器件的最低正向导通压降为 3.6V 。为进一步研 导通能力，在 100A/cm 制高压大功率碳化硅二极管器件模块提供了良好的基础。 关键词：4H 型碳化硅 整流二极管 终端保护 少子注入 中图分类号：TN311 4 700V SiC PiN Rectifier Chen Sizhe Sheng Kuang （Zhejiang University Hangzhou 310027 China ） Abstract SiC PiN diode is known as an ideal high voltage rectifier in power electronics. Base on extensive numerical simulations on epi-layer parameters and termination structures, an optimized device design is put forward. With a 50μm thick drift layer and 1.5 ×1015cm−3 N-type doping concentration, the fabricated PiN rectifier presents a high blocking voltage of 4 700V with both low leakage current and superior conduction capability. At the current conduction density of 100A/cm2 , the minimum on-state voltage of fabricated device is 3.6V. Keywords ：4H-SiC, PiN rectifier, termination structure, minority carrier injection 1 200V 和 1 700V 的 SiC 肖特基二极管产品，并获 0 引言 得了广泛的商业应用。不过，随着阻断电压的不断 碳化硅（SiC ）材料具有禁带宽度大、击穿电场 增加，如 5 000V 以上，肖特基二极管导通电阻的急 高和导热率大等特点。在多种 SiC 同质材料中，4H 剧上升（约等于电压增长的 2.5 次方），使其在更高 型 SiC （4H-SiC ）的特性尤为突出。相比于硅（Si ） 电压领域内的应用受到限制。 材料，4H-SiC 可以提供 3.3 倍于前者的热导率、2.5 与肖特基器件相比，SiC PiN