SOI双槽隔离结构的耐压特性 - 东南大学学报.PDFVIP

第４２卷第２期 东南大学学报（自然科 学版 ） Ｖｏｌ．４２ Ｎｏ．２ 　 ２０１２年３月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＯＵＴＨＥＡＳＴＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） 　 Ｍａｒ．２０１２ ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１－０５０５．２０１２．０２．００８ ＳＯＩ双槽隔离结构的耐压特性 陈　健　朱奎英　刘斯扬　钱钦松　孙伟锋 （东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京２１００９６） 摘要：理论推导了绝缘体上硅 （ＳＯＩ）双槽隔离结构的耐压模型．该模型表明，在ＳＯＩ双槽隔离 结构中，因隔离氧化层压降的不均衡，高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿，从而导致ＳＯＩ双槽 隔离结构的临界击穿电压小于理论值．增大沟槽纵横比和减小槽间距可以减弱隔离氧化层上压 降的不均衡性，提高ＳＯＩ双槽隔离结构的临界击穿电压．Ｓｅｎｔａｕｒｕｓ器件仿真软件的模拟结果和 华润上华半导体有限公司０．５ ｍ２００ＶＳＯＩ工艺平台下的流片测试结果均证明，减小槽间距和 μ 增大沟槽纵横比是提高双槽隔离结构临界击穿电压的有效方法，同时也证明了该耐压模型的正 确性． 关键词：双槽隔离结构；耐压模型；压降不均衡；沟槽纵横比；槽间距；临界击穿电压 中图分类号：ＴＮ３８６　　文献标志码：Ａ　　文章编号：１００１－０５０５（２０１２）０２０２３４０５ ＢｒｅａｋｄｏｗｎｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｏｆＳＯＩｔｒｅｎｃｈｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ＣｈｅｎＪｉａｎ　ＺｈｕＫｕｉｙｉｎｇ　ＬｉｕＳｉｙａｎｇ　ＱｉａｎＱｉｎｇｓｏｎｇ　ＳｕｎＷｅｉｆｅｎｇ （ＮａｔｉｏｎａｌＡＳＩＣＳｙｓｔｅｍＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９６，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｂｒｅａｋｄｏｗｎｍｏｄｅｌｏｆｄｏｕｂｌｅｔｒｅｎｃｈｉｓｏｌａｔｉｏｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｎｓｉｌｉｃｏｎｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＳＯＩ） ｗａｆｅｒｉｓｐｒｏｐｏｓｅｄ．Ｔｈｉｓｍｏｄｅｌｉｎｄｉｃａｔｅｓｔｈａｔｔｈｅｉｍｂａｌａｎｃｅｏｆｔｈｅｖｏｌｔａｇｅｄｒｏｐａｔｉｓｏｌａｔｉｏｎｏｘｉｄｅｌａｙ ｅｒｓｏｆｔｈｅｄｏｕｂｌｅｔｒｅｎｃｈｉｓｏｌａｔｉｏｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅｌｅａｄｓｔｈｅｉｓｏｌａｔｉｏｎｏｘｉｄｅｌａｙｅｒｎｅａｒｔｈｅｈｉｇｈｖｏｌｔａｇｅｒｅｇｉｏｎ ｔｏｂｒｅａｋｄｏｗｎｉｎａｄｖａｎｃｅ，ｍａｋｉｎｇｔｈｅｃｒｉｔｉｃａｌｂｒｅａｋｄｏｗｎｖｏｌｔａｇｅｌｅｓｓｔｈａｎｔｈｅｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌｖａｌｕｅ． Ｆｕｒｔｈｅｒｍｏｒｅ，ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｔｈｅｔｒｅｎｃｈａｓｐｅｃｔｒａｔｉｏａｎｄｄｅｃｒｅａｓｉｎｇｔｈｅｔｒｅｎｃｈｓｐａｃｉｎｇｃａｎｗｅａｋｅｎｔｈｅｉｍ ｂａｌａｎｃｅｏｆｔｈｅｖｏｌｔａｇｅｄｒｏｐａｎｄｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｃｒｉｔｉｃａｌｂｒｅａｋｄｏｗｎｖｏｌｔａｇｅｏｆｔｈｅｄｏｕｂｌｅｔｒｅｎｃｈｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｎＳＯＩｗａｆｅｒ．ＴｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｕｌｔｓｂｙＳｅｎｔａｕｒｕｓｄｅｖｉｃｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｓｏｆｔｗａｒｅａｎｄｔｈｅｅｘ ｐｅｒｉｍｅｎｔｒｅｓｕｌｔｓｏｎＣＳＭＣ０．５ ｍ２００ＶＳＯＩｐｒｏｃｅｓｓｐｌａｔｆｏｒｍｆｒｏｍＣｅｎｔｒａｌＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＭａｎｕ μ ｆａｃｔｕｒｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓＦａｂ１Ｃｏ．，Ｌｔｄ．ｓｈｏｗｔｈａｔｄｅｃｒｅａｓｉｎｇｔｈｅｔｒｅｎｃｈｓｐａｃｉｎｇａｎｄｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｔｈｅ ｔｒｅｎｃｈａｓｐｅｃｔｒａｔｉｏａｒｅｔｈｅｅｆｆｅｃｔｉｖｅｗａｙｔｏｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｃｒｉｔｉｃａｌｂｒｅａｋｄｏｗｎｖｏｌｔａｇｅｏｆｔｈｅｄｏｕｂｌｅ ｔｒｅｎｃｈｉｓｏｌａｔｉｏｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｎＳＯＩｗａｆｅｒ．Ｔｈｅｒｅｓ