SnS电子结构和光学性质的第一性原理研究 - 华南师范大学学报.PDFVIP

华南师范大学学报 （自然科学版） ２０１４年３月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＯＵＴＨＣＨＩＮＡＮＯＲＭＡＬＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ 第４６卷第２期 　　　　　　　　　　　 Ｍａｒ．２０１４ 　　　　　　　　　　　 （ＮＡＴＵＲＡＬＳＣＩＥＮＣＥＥＤＩＴＩＯＮ） 　Ｖｏｌ．４６　Ｎｏ．２ 文章编号：１０００－５４６３（２０１４）０２－００４２－０４ ＳｎＳ电子结构和光学性质的第一性原理研究  刘咏梅，赵灵智 ，姜如青，覃坤南 （华南师范大学光电子材料与技术研究所 广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室，广州５１０６３１） 摘要：基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法，建立了ＳｎＳ超晶胞模型并进行了几何结构优化，对其 能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算．结果显示，ＳｎＳ是一种直接带隙半导体，计算所得的带隙 值０５０３ｅＶ低于实验值的１３ｅＶ．态密度计算表明，ＳｎＳ是具有一定共价性的离子晶体．当光子能量在０～３１０ｅＶ ５ －１ 和大于７４７ｅＶ范围内时，晶体表现为介电性，在３１０～７４７ｅＶ范围内晶体表现为金属性．ＳｎＳ具有１０ｃｍ 数量 级的吸收系数，能强烈地吸收光能． 关键词：ＳｎＳ；第一性原理计算；电子结构；光学性质 中图分类号：Ｏ４８２．７　　　文献标志码：Ａ　　　ｄｏｉ：１０．６０５４／ｊ．ｊｓｃｎｕｎ．２０１４．０２．００８ ＦｉｒｓｔＰｒｉｎｃｉｐｌｅｓＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｓｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＳｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄＯｐｔｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＳｎＳ  ＬｉｕＹｏｎｇｍｅｉ，ＺｈａｏＬｉｎｇｚｈｉ，ＪｉａｎｇＲｕｑｉｎｇ，ＱｉｎＫｕｎｎａｎ （ＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＮａｎｏｐｈｏｔｏｎｉｃＦｕｎｃｔｉｏｎａｌＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＤｅｖｉｃｅｓ，ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＯｐｔｏＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＳｏｕｔｈＣｈｉｎａＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ５１０６３１，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｆｉｒｓｔｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｏｆｐｌａｎｅｗａｖｅｕｌｔｒａｓｏｆｔｐｓｅｕｄｏｐｏｔｅｎｔｉａｌｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ｔｈｅＳｎＳｓｕ ｐｅｒｃｅｌｌｍｏｄｅｌｗａｓｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄ，ｉｔｓｇｅｏｍｅｔｒｙｓｔｒｕｃｔｕｒｅｗａｓｏｐｔｉｍｉｚｅｄ，ａｎｄｔｈｅｂａｎｄｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｄｅｎｓｉｔｙｏｆｓｔａｔｅｓ， ｃｈａｒｇｅｄｅｎｓｉｔｙａｎｄｏｐｔｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｗｅｒｅｏｂｔａｉｎｅｄ．ＴｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅＳｎＳｉｓａｄｉｒｅｃｔｇａｐｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ， ａｎｄｔｈｅｃａｌｃｕｌａｔｅｄｖａｌｕｅｏｆｔｈｅｂａｎｄｇａｐｉｓｌｏｗｅｒｔｈａｎｔｈｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｖａｌｕｅｏｆ１３ｅＶ．ＦｒｏｍｔｈｅＰＤＯＳ，ｔｈｅＳｎＳ ｉｓｃｏｖａｌｅｎｔｃｒｙｓｔａｌｗｉｔｈａｃｅｒｔａｉｎｉｏｎｉｃｂｏｎｄ．Ｗｈｅｎｔｈｅｐｈｏｔｏｎｅｎｅｒｇｙａｂｏｕｔ０～３１０ｅＶａｎｄｇｒｅａｔｅｒｔｈａｎ７４７ｅＶ， ｔｈｅｃｒｙｓｔａｌｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｉｓｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｃｈａｒａｃｔｅｒ．Ｂｕｔｉｔｓｈｏｗｓｔｈｅｍｅｔａｌｌｉｃｃｈａｒａｃｔｅｒｉｎｔｈｅｒａｎｇｅｏｆ３１０～７４７ｅＶ．