TIP41C - 广东风华芯电科技股份有限公司.PDFVIP

广东省粤晶高科股份有限公司 TIP41C —NPN silicon — ■■主要用途：功率放大、开关应用等。 ■■绝对最大额定值 （Ta ＝25 ℃） 项 目 符 号 额定值 单 位 集电极—基极电压 VCBO 100 V 集电极—发射极电压 VCEO 100 V 发射极—基极电压 VEBO 5 V 集电极电流 IC 6 A 基极电流 IB 3 A 集电极耗散功率(Ta=25 ℃) PC 2 W 集电极耗散功率(Tc=25 ℃) PC 65 W 结 温 TJ 150 ℃ 存储温度 Tstg ﹣65~150 ℃ ■■电参数 （Ta=25 ℃） 项 目 符 号 最小值 典型值最大值 单位 测 试 条 件 直流电流增益 hFE1 15 75 VCE= 4V ，Ic= 3A hFE2 30 VCE= 4V ，Ic= 0.3A 集电极-发射极截止电流 ICEO 0.7 mA VCE=60V ，IE=0 发射极-基极截止电流 IEBO 1 mA VEB=5V ，Ic=0 集电极-基极击穿电压 BVCBO 100 V Ic= 1mA，IE=0 集电极-发射极击穿电压 BVCEO 100 V Ic= 30mA ，IB=0 发射极-基极击穿电压 BVEBO 5 V IE= 1mA，Ic=0 基极-发射极电压 VBE 2 V VCE= 4V ，Ic= 6A 集电极-发射极饱和压降 VCE(sat) 1.5 V Ic= 6A ，IB=0.6A 电流增益-带宽乘积 fT 3 MHz VCE=10V,Ic=0.5A,f =1MHz ■■hFE 分档及其标志 打印标识 分 档 hFE 15~75 QR027