Ti覆盖层厚度对TiNiTi磁性薄膜的磁特性和微结构的影响.PDFVIP

第32 卷/第3 期/ 河北师范大学学报/自然科学版/ Vol.32 No.3 2008 年5 月 JOURNAL OF HEBEI NORMAL UNIVERSITY/Natural Science Edition/ May.2008 Ti 覆盖层厚度对Ti/Ni/Ti 磁性薄膜的 磁特性和微结构的影响 胡彦英, 　郭小方, 　彭　燕, 　张罕玮, 　孙会 (河北师范大学 物理科学与信息工程学院, 河北 石家庄　050016) 摘 要:室温下利用磁控溅射法, 在玻璃基片上沉积了Ti(3 nm)/Ni(30 nm)/Ti(t =3, 5, 7, 10 nm)磁性薄膜. 实验发现, 500 ℃退火30 min, 覆盖层厚度 t=7 nm 时, 样品的矫顽力达到最大.利用振动样品磁强计、扫描探针显 微镜观测了样品的磁特性、表面形貌和磁畴, X 射线衍射图谱表明, 样品中的Ni 颗粒形成了面心立方(FCC)结构. 关键词:磁记录;磁控溅射;矫顽力;退火 + 中图分类号:O 484.4 3;O 484.5 　　　文献标识码:A 　　　文章编号:1000-5854(2008)03-0334-03 近年来, 高密度磁存储技术发展迅速, 人们对于高性能、低成本、大储存量的信息存储系统要求越来越 高.因此人们对FePt, CoCrPt, CoTi 等可用于磁记录的磁性薄膜材料进行了广泛和深入的研究.近年来, 国内 [1] [2] 外众多科研工作者对Ni/Ti 薄膜铁电电容器 、Ni/Ti 薄膜的电解质性质 、Ni/Ti 薄膜的电学性质等进行 了广泛的研究, 而人们却很少涉及薄膜覆盖层厚度对于薄膜的磁性能和微结构的影响.实际上, 在磁性薄膜 [3, 4] 材料中, 覆盖层厚度对薄膜的磁性能和微结构具有重要的影响 .本文中, 笔者利用对靶磁控溅射法制备 了Ti/Ni/Ti 薄膜.固定Ni 层为30 nm, Ti 覆盖层分别取3, 5, 7, 10 nm, 在500 ℃退火30 min, 用振动样品磁 强计(VSM )、扫描探计显微镜(SPM)、X 射线衍射图谱(XRD)研究了Ti 层厚度对于Ti/Ni/Ti 薄膜的磁特性 与微结构的影响. 1　实验方法 在室温下, 应用对靶磁控溅射法制备了Ti (3 nm )/Ni (30 nm )/Ti (t )薄膜, 钛、镍的靶材纯度均为 99.99 %.先在玻璃基片上沉积3 nm Ti 作为衬底层, 然后沉积Ni 磁性层, 厚度为30 nm, 最后再沉积Ti 覆盖 层, 厚度为 t =3, 5, 7, 10 nm.Ti 层和Ni 层均采用对靶直流溅射, 溅射过程由计算机控制, 通过调节溅射时间 和对靶溅射功率来控制Ti 和Ni 层的沉积厚度.溅射室本底真空度优于20 μPa, 高纯氩气做工作气体, 溅射 时氩气气压为1 Pa, 循环水冷却.样品在500 ℃退火30 min, 样品制备完毕.应用SPM 观测样品的表面形貌 及磁畴结构;利用VSM 测量室温下样品的磁特性;通过XRD 分析退火样品的晶体结构. 2 　结果与讨论 图1 给出了Ti/Ni/Ti 薄膜垂直膜面的矫顽力 H 和Ti 覆盖层厚度的关系, 可见, 矫顽力随着Ti 层厚度 的增加先增加后减小, 在 t =7 nm 时达到最大值.可以认为出现这种现象是因为Ti 层厚度为7 nm 时, Ti 原 子在退火时可以较好地由衬底层扩散到磁性颗粒边界, 降低了颗粒之间的交换耦合作用, 使样品的矫顽力增 [5, 6] 加 . 图2 为覆盖层厚度不同的Ti (3 nm )/Ni (30 nm)/Ti (t )薄膜样品的XRD 衍射图谱, 可见, 在44.5 °附近 出现很强的衍射峰, 这是磁性层Ni 的FCC 相的(11