一、电磁感应 西元1831年亨利与法拉第发现，磁场变化会产生感应电流 ....DOCVIP

一、電磁感應 西元1831年亨利與法拉第發現，磁場變化會產生感應電流的現象。 二、磁通量ψB 1. 垂直通過線圈面的磁力線總數稱為磁通量，以ψB表示。 2. 封閉線圈面積為A，置一均勻磁場中。線圈之面積向量與磁場夾角θ，則磁通量ψB為： ※ψB≡B A cosθ＝BA⊥ 3. 通過線圈的磁通量ψB改變時，就會有感應電流產生。 三、冷次定律 線圈中所產生的感應電流的方向，乃欲使其所產生的感應磁場能夠反抗線圈中磁通量的變化。是能量守恆定律的結果。 四、法拉第定律 1. 先有電動勢（或電壓），封閉迴路才能產生電流。所以磁通量改變，必因產生感應電動勢，才有感應電流。 2. 法拉第定律： N匝線圈置於磁場中，於時間間隔Δt中磁通量變化ΔψB。則線圈產生的平均感應電動勢、瞬時感應電動勢為： ※≡－N ※ε≡－N 五、導線切割磁力線之感應電動勢 1. 一長L的直導線ab，在磁場中以等速以切割磁場方向運動，且 L⊥⊥。則導體ab兩端的電動勢ε為： ※ε＝LvB 2. 電動勢ε方向： 棒內自由電子亦如向右運動受磁力B＝－e×、方向向下移至下端b，則正電荷累積於上端。所以a如同電池正極，b如同電池負極。 六、發電機 一電樞N匝，每匝面積A，置於一磁場B，今先以外力電樞等角速度ω轉動。電樞面法線方向與磁場B夾角θ，若t＝0時，θ＝ωt＝0。則電樞線圈產生的瞬時感應電動勢ε瞬為： ※ε瞬＝ωNBAsin（ωt） 　 七、渦電流 在導體板置於變動的磁場中，因電磁感應所形成感應電流類似漩渦狀的流體。 八、變壓器 利用電磁感應原理，於原線圈中通以交流電壓，藉一軟鐵心使副線圈感應產生交流電動勢。利用線圈匝數不同製造出升壓或降壓的變壓器，其電壓、電流與線圈關係： ※＝＝（理想狀態下） 九、電磁波的特性 1. 電磁波產生條件：處於加速度運動中的電荷，必會產生電磁波。 2. 電磁波是隨時間變化的電場和磁場的橫波波動，電場和磁場與電磁波前進速度三者皆互相垂直。方向關係為 ※電磁波的行進的方向＝×向量積的方向。 3. 電磁波譜 電磁波頻率低而高（波長由長至短）可大致區分如下：無線電波、微波、紅外線、可見光、紫外線、X射線、γ射線。  一、半導體： 體內價電子受到的束縛力介於導體與絕緣體之間，所以導電能力亦介於導體與絕緣體之間。且當溫度上升或電場增加時，半導體的導電能力會增加。 1. 純（本）質半導體： 全部由單一之四價元素組成之半導體材料，稱之。如矽（Si）、鍺（Ge）。 (1) 自由電子： 熱運動造成某些共價鍵斷裂而可自由移動的電子。 (2) 電洞： 一個價電子脫離時，該原子即形成一個正電荷離子（共價鍵缺少電子的地方，好像是一個會讓鄰近電子掉落的「洞」）。 2. 雜（外）質半導體 (1) 在純半導體材料中，滲入某些雜質（三價或五價）原子。摻雜可增加半導體電子或電洞的數目，進而增加導電能力，提高應用價值。依摻雜原子特性的不同，有p型半導體與n型半導體兩種。 (2) n型半導體： 在純質半導體中，摻雜一部分五價元素（又稱施體），如砷（As）、磷（P）等。使自由電子成為多數載子，電洞成為少數載子。 (3) p型半導體： 在純質半導體中，摻雜一部份三價元素（又稱受體），如硼（B）、銦（In）、鋁（Al）、鎵（Ga）等。使電洞成為多數載子，自由電子成為少數載子。 二、二極體（Diode） 1. 將純矽（或鍺）晶體的一部分摻雜成n型半導體，其餘部分摻雜成p型半導體。電路符號： 2. 電流易從p型流向n型，很難從n型流向p型，具整流特性。 3. 二極體內部特性： (1) 空乏層： 二極體在形成時，pn接面處的自由電子與電洞中和形成共價鍵，而形成厚度約0.5微米幾乎已沒有可導通電流的電子與電洞的高電阻區域，稱空乏層。 (2) 空乏層電場： 由pn接面兩邊的電性，知此空乏層內的電場方向為由n邊指向p邊。 (3) 導通（切入）電壓： 克服空乏層位能障礙即可導通二極體，其所需的電壓稱導通電壓。一般由矽晶體製成之二極體導通電壓約在0.6 v～0.7 v。 4. 二極體的I－V特性曲線： 三、三極體 具有三個電極的電晶體元件，稱三極體。結構可分為兩類：雙極性電晶體和場效應電晶體。 四、雙極性電晶體 1. 雙極性： 流經電晶體的電流由帶正電的電洞和帶負電的自由電子兩種不同極性的載子所組成。 2. 雙極性接面電晶體（BJT）： 分成pnp型和npn型。 結構： 電路符號：　　　 3. 此種電晶體含有兩個p-n接面，其中間的一層稱為基極B，其他兩層分別稱為射極E和集極C。 4. 電晶體為電中性元件，所以流入和流出的電流應相等，即： ※IE＝IB＋IC。 由於摻雜濃度以射極E最多，厚度以基極B最薄。故三者電流大小關係為： ※IE ( IC IB。 5. 電流增益β：