上海硅酸盐所ZnO导电陶瓷研究获进展.PDFVIP

上海硅酸盐所ZnO导电陶瓷研究获进展 链接：/tech/100634.html 来源：上海硅酸盐研究所 上海硅酸盐所ZnO导电陶瓷研究获进展 最近，中国科学院上海硅酸盐研究所研究员李国荣科研团队在ZnO导电陶瓷研究中取得新进展。该团队通过晶粒及 晶界缺陷设计的方法，成功消除了ZnO晶界处的肖特基势垒，制备出高导电的ZnO陶瓷，其室温下的电导率高达1.9× 5 10 -1 Sm ；同时缺陷设计也降低了材料的晶格热导率，使该陶瓷呈现良好的高温热电性能，其在980K的功率因子达到了8.2×1 -4 -1 -2 0 W m K 上。论文得到期刊审稿人的高度评价，审稿人认为该结果对ZnO晶界势垒以及电导的调控具有重要的借鉴意义。 ZnO具有来源丰富、价格低廉、无污染及化学稳定性好等优点，在光电、压电、压敏及热电等领域有着广泛的应用 前景。三价施主掺杂常常被用来提高 3+ ZnO材料的导电性，但是由于三价元素如Al 在ZnO中的固溶度有限，导致电导率无法大幅提高；同时ZnO陶瓷中由于其本征缺陷而导致的晶界肖特基势垒也进一 步降低了其电导率。因此，提高晶粒电阻，同时消除晶界肖特基势垒是ZnO导电及热电材料研究领域的难点问题。 该研究团队在高电导的ZnO陶瓷的制备以及晶界势垒的调控方面进行了创新性探索：通过还原性气氛烧结，成功消 除了ZnO晶界处的受主缺陷，使其晶界处的肖特基势垒消失；与此同时，还原性气氛烧结也提高了三价施主掺杂元素 在ZnO晶粒中的固溶度，使材料的载流子浓度和迁移率均得到大幅度的提高。该研究还通过高分辨透射电镜(HRTEM )、阴极发光(CL)发射谱及电子背散射衍射(EBSD)等多种表征手段进一步证实了受主掺杂后晶粒晶界缺陷分布情况， 发现掺杂在ZnO陶瓷的晶粒中引入大量缺陷，可同时降低ZnO的晶格热导，成功实现了其电学性能和热学性能的单独 调控，在导电及热电陶瓷中有较好的应用前景。 目前，高电导ZnO陶瓷的相关研究工作已申请两项国家发明专利。另外，该团队还建立了结构- 性能模型，为ZnO陶瓷的晶界势垒以及电学性能的研究工作提供了良好的研究基础。 相关研究工作得到国家“863”项目（2013AA030801）及科技部国际科技合作专项（2013DFG51570）等项目的资助 。 上海硅酸盐所ZnO导电陶瓷研究获进展 链接：/tech/100634.html 来源：上海硅酸盐研究所 原文地址：/tech/100634.html Powered by TCPDF ()